2SB1001BHTR 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SB1001BHTR
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内容描述：	[Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 16V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, UPAK-3]
分类和应用：	晶体小信号双极晶体管
文件页数/大小：	6 页 / 34 K
品牌：	HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]

2SB1001

Maximum Collector Dissipation Curve

Collector Power Dissipation Pc (W)

(on the alumina ceramic board)

1.2

Collector Current I

(mA)

Typical Output Characteristics (1)

–100

–0

.35

–0

–0.

–80

0.8

–0.2

–60

–0.15

–0.1

–40

0.4

–20

–0.05 mA

= 0

100

150

Ambient Temperature Ta (°C)

–2

–4

–6

–8

–10

Collector to Emitter Voltage V

(V)

Typical Output Characteristics (2)

–2.0

–25

–20

Collector Current I

(mA)

–1

Typical Transfer Characteristics

–1,000

–300

–100

Ta = 75°C

–30

–10

–3

–1

–25

= –2 V

Pulse

Collector Current I

(A)

–1.6

–10

–1.2

–5 mA

–0.8

–0.4

= 0

–0.4

–0.8

–1.2

–1.6

–2.0

Collector to Emitter Voltage V

(V)

–0.2

–0.4

–0.6

–0.8

–1.0

Base to Emitter Voltage V

(V)

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