1SS199TE 参数 Datasheet PDF下载

型号：	1SS199TE
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内容描述：	[Mixer Diode, Silicon, DO-34]
分类和应用：	肖特基二极管开关
文件页数/大小：	5 页 / 20 K
品牌：	HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]

1SS199

Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Item

Reverse voltage

Average rectified current

Junction temperature

Storage temperature

Symbol

Tstg

Value

125

–55 to +125

Unit

°C

Electrical Characteristics

(Ta = 25°C)

Item

Forward current

Reverse current

Capacitance

Rectifier efficiency

ESD-Capability

Symbol

—

Min

3.0

—

Typ

—

Max

—

100

3.0

—

Unit

µA

Test Condition

= 1V

= 10V

= 1V, f = 1MHz

Vin = 2Vrms, f = 40MHz, R

= 5kΩ, C

= 20pF

*C = 200pF, Both forward and

reverse direction 1 pulse.

Note: Failure criterion; I

≥

200µA at V

= 10V

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