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HM628512LP-7 参数 Datasheet PDF下载

HM628512LP-7图片预览
型号: HM628512LP-7
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内容描述: 524288字×8位高速CMOS静态RAM [524288-word x 8-bit High Speed CMOS Static RAM]
分类和应用: 内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 15 页 / 88 K
品牌: HITACHI-METALS [ HITACHI METALS, LTD ]
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HM628512系列
写周期
HM628512
-5
参数
写周期时间
芯片的选择要写入的结束
地址建立时间
地址有效到写结束
把脉冲宽度
写恢复时间
WE
在高Z输出
数据写入时间重叠
从时间写数据保持
输出输出活跃在高阻
输出禁用输出高阻
符号
t
WC
t
CW
t
AS
t
AW
t
WP
t
WR
t
WHZ
t
DW
t
DH
t
OW
t
OHZ
55
50
0
50
40
5
0
25
0
5
0
最大
20
20
-7A
55
50
0
50
40
5
0
25
0
5
0
最大
20
20
-7
70
60
0
60
50
5
0
30
0
5
0
最大
25
25
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
6
5, 6
1, 8
4
5, 6, 7
2
3
笔记
注:1.重叠期间发生写入(T
WP
)低
CS
和一个低
WE 。
一开始写在后面
过渡
CS
变低或
WE
变低。在早期的过渡写入结束
CS
去高
or
WE
要高。吨
WP
从写入的开始写的末端测量。
2. t
CW
从测
CS
变低,以写的末尾。
3. t
AS
从地址有效到写的开始测量的。
4. t
WR
是从较早的测量
WE
or
CS
变高到写周期的结束。
5.在此期间, I / O引脚处于输出状态,以使相反的相位与输入信号
的输出不能被应用。
6.这个参数进行采样,而不是100 %测试。
7. t
WHZ
被定义为时间,让输出acheive开路conditons和不
称为输出电压电平。
8.在写入周期与
OE
低固定,T
WP
必须满足下列方程,以避免存在的问题
数据总线争。吨
WP
t
DW
分+ T
WHZ
最大
9