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型号: 2SJ389
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内容描述: 硅P沟道MOS场效应晶体管 [Silicon P Channel MOS FET]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 7 页 / 46 K
品牌: HITACHI-METALS [ HITACHI METALS, LTD ]
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2SJ389
L
, 2SJ389
S
硅P沟道MOS场效应晶体管
应用
DPAK–2
高速电源开关
4
4
特点
低导通电阻
高速开关
低驱动电流
4 V栅极驱动器可以驱动
5 V电源
•适用于开关稳压器,直流 - 直流
变流器
•雪崩额定值
12
2, 4
12
3
3
1
3
1.门
2.漏
3.源
4.漏
表1绝对最大额定值
( TA = 25°C )
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
雪崩电流
雪崩能量
散热通道
通道温度
储存温度
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(脉冲)
*
I
DR
I
AP
***
E
AR
***
PCH **
总胆固醇
TSTG
评级
–60
±20
–10
–40
–10
–10
8.5
30
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
mJ
W
°C
°C
———————————————————————————————————————————
———————————————————————————————————————————
———————————————————————————————————————————
———————————————————————————————————————————
———————————————————————————————————————————
———————————————————————————————————————————
———————————————————————————————————————————
———————————————————————————————————————————
———————————————————————————————————————————
———————————————————————————————————————————
———————————————————————————————————————————
*
PW
10微秒,占空比
1 %
**
在Tc值= 25°C
***
在总胆固醇值= 25 ° C, RG
50