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IRF512 参数 Datasheet PDF下载

IRF512图片预览
型号: IRF512
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内容描述: 4.9A , 5.6A和, 80V和100V , 0.54和0.74 Ohm的N通道功率MOSFET [4.9A, and 5.6A, 80V and 100V, 0.54 and 0.74 Ohm, N-Channel Power MOSFETs]
分类和应用:
文件页数/大小: 7 页 / 71 K
品牌: HARRIS [ HARRIS CORPORATION ]
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IRF510 , IRF511 , IRF512 , IRF513
典型性能曲线
除非另有规定编
为80μs脉冲测试
V
GS
= 10V
I
D
,漏电流( A)
8
V
GS
= 8V
6
V
GS
= 7V
4
V
GS
= 6V
2
V
GS
= 5V
0
V
GS
= 4V
0
2
4
6
8
V
DS ,
漏源极电压( V)
10
I
D(上)
, ON-状态下的漏电流(A)
10
(续)
10
V
DS
50V
为80μs脉冲测试
1
T
J
= 175
o
C
T
J
= 25
o
C
0.1
10
-2
0
2
4
6
8
V
GS
,门源电压( V)
10
图6.饱和特性
图7.传热特性
5.0
为80μs脉冲测试
归一化导通电阻
r
DS ( ON)
,漏极到源极
4.0
导通电阻( Ω )
3.0
I
D
= 3.4A
V
GS
= 10V
2.4
3.0
1.8
2.0
V
GS
= 10V
V
GS
= 20V
1.0
1.2
0.6
0
0
4
8
12
16
20
0
-60 -40
-20
0
20
40
60
80
100 120 140 160 180
I
D,
漏电流( A)
T
J
,结温(
o
C)
图8.漏极至源极导通电阻VS门
电压和漏极电流
图9.归一漏极至源极ON
电阻与结温
1.25
I
D
= 250µA
归一漏极至源极
击穿电压
1.15
500
V
GS
= 0V , F = 1MHz的
C
国际空间站
= C
GS
+ C
GD
400 C
RSS
= C
GD
C
OSS
C
DS
+ C
GD
300
1.05
0.95
C,电容(pF )
200
C
国际空间站
C
OSS
0.85
100
C
RSS
0.75
-60 -40 -20
0
20
40
60
80
100 120 140 160 180
0
1
2
T
J
,结温(
o
C)
2
5
V
DS
,漏源极电压( V)
5
10
10
2
图10.归一漏极至源极击穿
电压Vs结温
图11.电容VS漏源极电压
5-5