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HS1-1840RH-Q 参数 Datasheet PDF下载

HS1-1840RH-Q图片预览
型号: HS1-1840RH-Q
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内容描述: 抗辐射16通道CMOS模拟抗辐射16通道CMOS模拟 [Rad-Hard 16 Channel CMOS Analog Rad-Hard 16 Channel CMOS Analog]
分类和应用:
文件页数/大小: 13 页 / 194 K
品牌: HARRIS [ HARRIS CORPORATION ]
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特定网络阳离子HS- 1840RH
表5. DC POST老化DELTA电气特性
保证每MIL -STD- 883 ,方法1019.除非另有规定ED : V- = -15V ,V + = + 15V , VREF = + 5V , VAH = + 4.0V , VAL = 0.8V
A组
1
范围
温度
+25
o
C
-100
最大
100
单位
nA
参数
输入漏电流,
地址或启用
引脚
漏电流成
的源极端子
一个“关闭”开关
符号
IAH
IAL
+ IS (OFF)的
-IS (OFF)的
+ ID (OFF)的
-ID (OFF)的
+ ID (ON)的
条件
测量输入接着,
地面全部未使用引脚
VS = + 10V ,所有未使用的输入&
输出= -10V , VEN = 4.0V
VS = -10V ,所有未使用的输入&
输出= + 10V , VEN = 4.0V
VD = + 10V , VEN = 4.0V
所有未使用的输入= -10V
VD = -10V , VEN = 4.0V
所有未使用的输入= + 10V
VS = + 10V , VD = + 10V ,
VEN = 0.8V
所有未使用的输入= -10V
VS = -10V , VD = -10V ,
VEN = 0.8V
所有未使用的输入= + 10V
VS = + 15V , ID = -1mA ,
VEN = 0.8V
VS = -5V , ID = + 1mA时,
VEN = 0.8V
VEN = 0.8V
VEN = 0.8V
VEN = 4.0V
VEN = 4.0V
1
1
1
1
1
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
-20
-20
-20
-20
-20
20
20
20
20
20
nA
nA
nA
nA
nA
漏电流成
的漏极
一个“关闭”开关
从泄漏电流
一个“ ON”司机进入
开关(漏极&源)
-ID (ON)的
1
+25
o
C
-20
20
nA
开关导通电阻
+ 15V的R( ON)的
-5V R( ON)的
1
1
1
1
1
1
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
-150
-250
-50
-50
-50
-50
150
250
50
50
50
50
µA
µA
µA
µA
正电源
当前
负电源
当前
正待机
电源电流
消极的待命
电源电流
I(+)
I(-)
+ ISBY
-ISBY
表6.适用子群
合规组
初步测试
临时测试
PDA
最终测试
A组
B组
B5
OTHERS
C组
D组
E组,小组2
100%/5004
100%/5004
100%/5004
100%/5004
Samples/5005
Samples/5005
Samples/5005
Samples/5005
Samples/5005
Samples/5005
-Q子群
1
1
1
1,2, 3,7,图8A ,8B, 9 ,10,11
1,2, 3,7,图8A ,8B, 9 ,10,11
1, 2, 3
1, 7
不适用
1, 7
1, 7
-8子群
1
不适用
1
1,2, 3,7,图8A ,8B, 9 ,10,11
1,2, 3,7,图8A ,8B, 9 ,10,11
不适用
不适用
1, 2, 3
1, 7
1, 7
规格编号
6
518022