HGTG30N60C3D
工作频率信息
工作频率信息为一个典型的设备（图13）
是作为一个指南关于推定装置的性能
对于一个特定的C应用程序。其他典型的频率与集电极
电流（I
CE
）地块是可能使用的信息显示
对于在图4，图7，图8 ，图11和12的操作的典型部
一个典型的设备的频率曲线图（图13）描绘了f
MAX1
or
f
MAX2
取每个点要小。该信息是
基于典型的设备的测量值和有界
由最大额定结温。
f
MAX1
是德网络定义为f
MAX1
= 0.05/(t
D（ OFF ）I
+ t
D（ ON ）I
） 。死区
时间（分母）已被任意地保持在10％的
导通状态的时间为50％的占空因数。其他德网络nitions是
可能。吨
D（ OFF ）I
和T
D（ ON ）I
都德网络定义，如图21 。
器件关断延迟可以建立一个额外的频率
限制条件为应用程序于T其他
JMAX
. t
D（ OFF ）I
下轻轻地控制输出纹波时是很重要的
加载条件。
f
MAX2
是德网络定义为f
MAX2
= (P
D
- P
C
)/(E
关闭
+ E
ON
） 。该
允许功耗（P
D
）是德网络由P定义
D
= (T
JMAX
- T
C
)/
R
θJC
。的设备的开关和导通损耗的总和
必须不超过P
D
。 50％的占空比使用（图
13）与导通损耗（P
C
）由近似
P
C
= (V
CE
X我
CE
)/2.
E
ON
与ê
关闭
都德网络定义的开关波形
如图21所示ê
ON
是积分瞬时的
功率损耗（我
CE
X V
CE
）导通和E中
关闭
是英特
GRAL关断过程中的瞬时功率损耗。所有的尾巴
损失被包括在计算对于E
关闭
;即同事
讲师电流等于零（我
CE
= 0).
操作注意事项进行的IGBT
绝缘栅双极晶体管易受网关
绝缘破坏能量的静电放电
通过该装置。在处理这些设备，护理
应行使以保证静电荷内置
处理程序的人体电容不通过排出
装置。通过适当的处理和应用程序，
然而，目前的IGBT被广泛使用的是
生产的众多设备制造商在军事，
工业和消费应用中，几乎没有任何损坏
问题是由于静电放电。 IGBT的可
安全处理，如果以下基本预防措施：
1.在此之前组装成一个电路，所有的引线应保持
短接在一起，或者通过使用金属短路
弹簧或通过插入这样的导电性材料
as
† “ ECCOSORBD
LD26 “或同等学历。
2.当设备由专人从运营商删除，
所用的手应通过任何适当的接地
装置 - 例如，用金属腕带。
3.提示烙铁应接地。
4.设备不应该被插入或从其上取下
电路的电源。
5.
栅极电压额定值
- 不要超过栅极电压额定
ING的V
创业板
。超过额定V
GE
会导致
永久损坏在栅极区域中的氧化物层。
6.
门终止
- 这些器件的栅极被从本质
tially电容。电路的离开门开路
或应避免浮动。这些条件可能会导致
在接通该设备的因在输入电压上升
电容由于漏电流或皮卡。
7.
栅极保护
- 这些设备不具有内部
从门的单片稳压二极管发射器。如果门亲
需要tection外部稳压建议。
™商标
艾默生和卡明公司
7
HARRIS [ HARRIS CORPORATION ]
