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HGTG12N60C3D 参数 Datasheet PDF下载

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型号: HGTG12N60C3D
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内容描述: 24A , 600V , UFS系列N沟道IGBT与反并联二极管超高速 [24A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode]
分类和应用: 晶体二极管晶体管功率控制瞄准线双极性晶体管局域网
文件页数/大小: 7 页 / 106 K
品牌: HARRIS [ HARRIS CORPORATION ]
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HGTG12N60C3D
电气连接特定的阳离子
T
C
= 25
o
C,除非另有规定编
范围
参数
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 集电极击穿电压
集电极 - 发射极漏电流
符号
BV
CES
BV
ECS
I
CES
测试条件
I
C
= 250μA ,V
GE
= 0V
I
C
= 10毫安,V
GE
= 0V
V
CE
= BV
CES
V
CE
= BV
CES
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE ( SAT )
I
C
= I
C110
,
V
GE
= 15V
T
C
= 25
o
C
T
C
= 150
o
C
T
C
= 25
o
C
T
C
= 150
o
C
T
C
= 25
o
C
T
C
= 150
o
C
T
C
= 25
o
C
600
15
-
-
-
-
-
-
3.0
典型值
-
25
-
-
1.65
1.85
1.80
2.0
5.0
最大
-
-
250
2.0
2.0
2.2
2.2
2.4
6.0
单位
V
V
µA
mA
V
V
V
V
V
I
C
= 15A,
V
GE
= 15V
栅极 - 发射极阈值电压
V
GE (日)
I
C
= 250µA,
V
CE
= V
GE
V
GE
=
±20V
T
J
= 150
o
C,
V
GE
= 15V,
R
G
= 25Ω,
L = 100μH
栅极 - 发射极漏电流
开关SOA
I
GES
SSOA
-
V
CE ( PK )
= 480V
V
CE ( PK )
= 600V
80
24
-
-
-
±100
-
-
nA
A
A
栅极 - 射极电压高原
导通状态的栅极电荷
V
GEP
Q
G( ON)的
I
C
= I
C110
, V
CE
= 0.5 BV
CES
I
C
= I
C110
,
V
CE
= 0.5 BV
CES
V
GE
= 15V
V
GE
= 20V
-
-
-
-
-
-
-
-
-
7.6
48
62
14
16
270
210
380
900
1.7
34
30
-
-
-
55
71
-
-
400
275
-
-
2.0
42
37
1.2
1.5
V
nC
nC
ns
ns
ns
ns
µJ
µJ
V
ns
ns
o
C / W
o
电流导通延迟时间
电流上升时间
电流关断延迟时间
电流下降时间
开启能量
关断能量(注3 )
二极管的正向电压
二极管的反向恢复时间
t
D( ON )I
t
RI
t
D( OFF )I
t
FI
E
ON
E
关闭
V
EC
t
rr
T
J
= 150
o
C,
I
CE
= I
C110,
V
CE ( PK )
= 0.8 BV
CES ,
V
GE
= 15V,
R
G
= 25Ω,
L = 100μH
I
EC
= 12A
I
EC
= 12A ,二
EC
/ DT = 100A / μs的
I
EC
= 1.0A ,二
EC
/ DT = 100A / μs的
-
-
-
-
-
热阻
R
θJC
IGBT
二极管
C / W
注意:
3.开启,关闭能源损耗(E
关闭
)被定义为开始于输入脉冲的后沿瞬时功率损耗的积分,并
在其中的集电极电流等于零(我的点结束
CE
= 0A ) 。该HGTG12N60C3D是根据JEDEC标准24-1号测试
对于功率器件关断开关损耗测量方法。这种测试方法产生真正的总导通关的能量损失。开启
对损失包括二极管损耗。
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