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HMS12832M4G 参数 Datasheet PDF下载

HMS12832M4G图片预览
型号: HMS12832M4G
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内容描述: SRAM模块512K字节( 128K ×32位) , 64引脚SIMM / ZIP [SRAM MODULE 512KByte (128K x 32-Bit), 64PIN SIMM / ZIP]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 11 页 / 123 K
品牌: HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
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HANBit  
HMS12832M4G/Z4  
o
CAPACITANCE (T =25 C , f= 1.0Mhz)  
A
DESCRIPTION  
Input /Output Capacitance  
Input Capacitance  
TEST CONDITIONS  
SYMBOL  
CI/O  
MAX  
32  
UNIT  
pF  
VI/O=0V  
VIN=0V  
CIN  
24  
pF  
* NOTE : Capacitance is sampled and not 100% tested  
o
o
AC CHARACTERISTICS (0 C £ T £ 70 C ; Vcc = 5V ± 0.5V, unless otherwise specified)  
Test conditions  
A
PARAMETER  
VALUE  
0V to 3V  
3ns  
Input Pulse Level  
Input Rise and Fall Time  
Input and Output Timing Reference Levels  
Output Load  
1.5V  
See below  
Output Load (B)  
Output Load (A)  
for tHZ, tLZ, tWHZ, tOW, tOLZ & tOHZ  
VL=1.5V  
+3.3V  
50W  
319W  
5pF*  
DOUT  
DOUT  
Z0=50W  
353W  
30pF  
READ CYCLE  
-12  
-15  
-20  
PARAMETER  
SYMBOL  
UNIT  
MIN  
MAX  
MIN  
MAX  
MIN  
MAX  
Read Cycle Time  
tRC  
tAA  
12  
15  
20  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
Address Access Time  
12  
12  
6
15  
15  
7
20  
20  
9
Chip Select to Output  
tCO  
tOE  
tOLZ  
tLZ  
Output Enable to Output  
Output Enable to Low-Z Output  
Chip Enable to Low-Z Output  
Output Disable to High-Z Output  
Chip Disable to High-Z Output  
Output Hold from Address Change  
Chip Select to Power Up Time  
Chip Select to Power Down Time  
0
3
0
0
3
0
-
0
3
0
0
3
0
0
3
0
0
3
0
tOHZ  
tHZ  
6
6
7
7
9
9
tOH  
tPU  
tPD  
12  
15  
20  
URL: www.hbe.co.kr  
4
HANBit ElectronicsCo.,Ltd.  
Rev. 1.0 (September / 2002)  
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