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G1737 参数 Datasheet PDF下载

G1737图片预览
型号: G1737
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内容描述: 磷砷化镓发光二极管 [GaAsP photodiode]
分类和应用: 半导体光电光电器件二极管
文件页数/大小: 4 页 / 177 K
品牌: HAMAMATSU [ HAMAMATSU CORPORATION ]
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磷砷化镓发光二极管
s

光谱响应
0.5
(典型值TA = 25℃)
扩散式
(典型值)。
s

照片灵敏度​​温度特性
+1.5
照片灵敏度( A / W)
0.4
温度系数(% /℃)
+1.0
0.3
+0.5
0.2
0
0.1
0
200
400
600
800
-0.5
200
400
600
800
波长(nm )
KGPDB0024EA
波长(nm )
KGPDB0025EA
s

上升时间与负载电阻
10
ms
(典型值TA = 25℃, V
R
=0 V)
s

暗电流与反向电压
1
nA
(典型值TA = 25℃)
1
ms
G1737, G1740
G1737, G1740
G1736
100
pA
100
µs
暗电流
上升时间
G1736
10
pA
10
µs
G1735, G1738
G3297
1
µs
1
pA
G1735, G1738, G3297
100
ns
2
10
10
3
10
4
10
5
10
6
100
fA
0.001
0.01
0.1
1
10
负载电阻( Ω )
KGPDB0026EA
反向电压( V)
KGPDB0027EA
s

分流电阻与环境温度
(典型值V
R
= 10毫伏)
10 TΩ
G1735, G1738, G3297
G1736
100 GΩ
s

短路电流的线性度
10
0
10
-2
(典型的Ta = 25℃,光源全亮)
1 TΩ
R
L
=100
输出电流(A )
分流电阻
10
-4
10
10
-6
10 GΩ
G1737, G1740
-8
10
-10
10
-12
10
-14
1 GΩ
100 MΩ
依赖于NEP
10 MΩ
-20
0
20
40
60
80
10
-16
10
-16
10
-14
10
-12
10
-10
10
-8
10
-6
10
-4
10
-2
10
0
环境温度( ℃)
KGPDB0028EA
入射光LEVEL ( LX )
KGPDB0008EA