星合电子
ＸＩＮＧＨＥ ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ
“绝对
最大额定值
(Ta=25°C)
参数
符号
峰值脉冲（ TP = 10 × 1000US ）
站在关电源
结温
储存温度
PPK
V
RMN
Tj
TSTG
范围
600
25.6
150
55
to
150
RSA30L
ESD保护器件（TVS）
单位
W
V
°C
°C
ⅵELECTRICAL
特征
(Ta=25°C)
参数
符号
击穿电压
钳位电压
反向电流
V
BR
V
C
I
R
分钟。
28.5
-
-
典型值。
-
-
-
马克斯。
31.5
41.4
5
单位
V
V
uA
I
R
=1.0mA
I
pp
=14.4A
V
RMN
=25.6V
条件
10
10000
TA = 150 ℃的Ta = 125 ℃
10
f=1MHz
反向电流： IR （ NA）
Ta=75℃
1000
100
10
1
0.1
0.01
0.001
0.1
0
5
10
15
20
25
0
5
10
15
20
25
反向电压VR （ V）
VR -CT特征
1
Ta=-25℃
Ta=75℃
Ta=25℃
齐纳电流： IZ （MA ）
1
Ta=25℃
Ta=-25℃
Ta=125℃
之间的电容
端子的CT （ NF）
Ta=150℃
0.1
1
0.01
0.001
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
0.0001
反向电压VR （ V）
VR -IR特性
齐纳电压： VZ（ V）
VZ- IZ特性
32
0.2
电容
BETWEENTERMINALS的CT （ NF）
反向电流： IR （ NA）
齐纳电压： VZ（ V）
31
30
29
AVE ： 29.651V
28
27
VZ DISRESION地图
Ta=25℃
IF=1mA
n=30pcs
0.18
0.16
0.14
0.12
0.1
0.08
0.06
0.04
0.02
0
IR DISRESION地图
安装在环氧板
Ta=25℃
VR=3.5V
n=30pcs
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
CT DISRESION地图
AVE ： 0.884nF
Ta=25℃
f=1MHz
VR=0V
n=10pcs
AVE ： 0.0143nA
100
1000
IM=10mA
IF=0.5A
30
Rth的第（j-一）
没有休息，在30kV的
没有休息，在30kV的
25
20
15
10
5
0
短暂
THAERMAL阻抗的Rth （ ℃ / W）
动态阻抗： ZZ （ Ω ）
100
300us
10
10
RTH （J -C ）
1
1
0.1
1
齐纳电流（毫安）
ZZ- IZ特性
10
0.1
0.001
静电
放电测试ESD （ KV ）
1ms
时间
0.01
1
10
100
时间： T（ S）
RTH- T特性
0.1
1000
C=200pF
R=0Ω
C=100pF
R=1.5kΩ
ESD色散图
2
ＧＡＯＭＩ ＸＩＮＧＨＥ ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳＣＯ．，ＬＴＤ． ＷＷＷ．ＳＤＤＺＧ．ＣＯＭ ＴＥＬ：０５３６－２２１０３５９ ＱＱ：４６４７６８０１７
GXELECTRONICS [ Gaomi Xinghe Electronics Co., Ltd. ]
