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    B5819W 参数 Datasheet PDF下载

    B5819W图片预览
    型号： B5819W
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 低存储的变化，多数载流子传导。 [Low stored change,majority carrier conduction.]
    分类和应用： 存储二极管
    文件页数/大小： 3 页 / 300 K
    品牌： GXELECTRONICS [ Gaomi Xinghe Electronics Co., Ltd. ]
     浏览型号B5819W的Datasheet PDF文件第1页浏览型号B5819W的Datasheet PDF文件第3页  
    B5817W-B5819W
    ELECTRICAL CHARACTERISTICS
    @ Ta=25℃
    unless otherwise specified
    Parameter
    Reverse breakdown voltage
    Symbol
    Test Conditions
    I
    R
    =1mA
    B5817W
    B5818W
    B5819W
    V
    R
    =20V
    V
    R
    =30V
    V
    R
    =40V
    B5817W
    B5818W
    B5819W
    MIN
    20
    30
    40
    MAX
    Unit
    V
    (BR)
    V
    Reverse voltage leakage current
    I
    R
    1
    mA
    B5817W
    I
    F
    =1A
    I
    F
    =3A
    I
    F
    =1A
    I
    F
    =3A
    I
    F
    =1A
    I
    F
    =3A
    0.45
    0.75
    0.55
    0.875
    0.6
    0.9
    120
    Forward voltage
    V
    F
    B5818W
    B5819W
    V
    Diode capacitance
    C
    D
    V
    R
    =4V,f=1MHz
    pF
    ORDERING INFORMATION
    Type No.
    B5817W
    B5818W
    B5819W
    Marking
    SJ
    SK
    SL
    Package Code
    SOD-123
    SOD-123
    SOD-123
    B5817W-B5819W

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