颁发日期： 2005/12/23
修订日期：
GSM BD2004
表面贴装， SWITCHINGDIODE
V Ø LT A G E 3 0 0 V ，C ü R R简T 0的。 2 2 5 A
描述
该GSMBD2004是专为超高速开关。
包装尺寸
REF 。
A
A1
A2
D
E
HE
毫米
分钟。
马克斯。
0.80
1.10
0
0.10
0.80
1.00
1.80
2.20
1.15
1.35
1.80
2.40
REF 。
L1
L
b
c
e
Q1
毫米
分钟。
马克斯。
0.42参考。
0.15
0.35
0.25
0.40
0.10
0.25
0.65参考。
0.15 BSC 。
绝对最大额定值
（在T
A
= 25 ：除非另有规定）
参数
反向重复峰值电压
连续反向电压
RMS反向电压
正向连续电流
非重复性峰值正向浪涌电流@Tp = 1.0us
@Tp=1.0s
终端之间的典型结电容（注1）
马克斯。反向恢复时间（注2 ）
功耗
热阻结到环境空气
操作和存储温度范围
符号
V
RRM
V
R
(V
RWM
)
V
R
(
RMS
)
I
FM
I
FSM
C
J
T
RR
PD
R
JA
评级
300
240
170
225
4
1
5.0
50
350
357
-65 ~ +150
单位
V
V
V
mA
A
pF
纳秒
mW
: /W
:
T
J
, T
英镑
电气特性
（在T
A
= 25 ：除非另有说明）
特征
反向击穿电压
正向电压
符号
BV
R
V
F
分钟。
300
-
-
反向电流
I
R
-
马克斯。
-
0.85
1
1.25
100
100
单位
V
V
V
V
nA
uA
I
R
=100uA
I
F
=20mA
I
F
=100mA
I
F
=225mA
V
R
= 240V ，T
A
=25 :
V
R
= 240V ，T
A
=150 :
并恢复我
RR
=-3mA.
测试条件
注：1.测得1.0 MHz和应用为0伏的反向电压。
2.测得为30mA应用正向电流，反向电流30mA ，R的
L
=100
3.静电敏感产品处理要求。
GSMBD2004
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