颁发日期： 2003年10月22日
修改日期： 2004/11 / 29B
GSD1857
功率晶体管
NPNEPI TA XIALPLANARTRANSISTOR
特点
*高击穿电压。 （ BV
首席执行官
=120V)
.
*低集电极输出电容。 （ Type.20pF在V
CB
=10V)
*高转换频率。 （ FT = 80MHz的）
包装尺寸
D
E
S1
TO-92
A
性S E为T G中
飞机
b1
REF 。
L
e1
e
b
C
A
S
1
b
b
1
C
毫米
分钟。
马克斯。
4.45
4.7
1.02
-
0.36
0.51
0.36
0.76
0.36
0.51
REF 。
D
E
L
e1
e
毫米
分钟。
马克斯。
4.44
4.7
3.30
3.81
12.70
-
1.150 1.390
2.42
2.66
绝对最大额定值
（ TA = 25 ： ）
参数
评级
单位
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
收集电流（DC ）
收集电流* （脉冲）
结温
存储温度范围
总功耗
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
Tj
Ts
TG
P
D
典型值。
-
-
-
-
-
-
80
20
P
82-180
马克斯。
-
-
-
1
1
400
390
-
-
单位
V
V
V
uA
uA
mV
兆赫
pF
120
120
5
2
3
+150
-55 ~ +150
1
测试条件
I
C
=50uA
I
C
=1mA
I
E
=50uA
V
CB
=100V
V
BE
=4V
l
C
=1A,I
B
=100mA
V
CE
=5V,I
C
=0.1A
VCE = 5V ， IE = 100mA时F = 30MHz的
VCB = 10V ， IE = 0A ， F = 1MHz的
V
V
V
A
A
W
电气特性
（ TA = 25 ： ）
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
*V
CE （ SAT ）
h
FE
fT
COB
秩
范围
分钟。
120
120
5
-
-
-
82
-
-
中hFE1分类
*采用脉冲电流测量。
Q
120-270
R
180-390
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