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GSD1616A 参数 Datasheet PDF下载

GSD1616A图片预览
型号: GSD1616A
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内容描述: NPN外延平面晶体管 [NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 3 页 / 202 K
品牌: GTM [ GTM CORPORATION ]
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颁发日期: 2003/10/23
修改日期: 2004/11 / 29B
GSD1616A
描述
包装尺寸
D
E
NPNEPI TA XIALPLANARTRANSISTOR
T
他GSD1616A是专为音频功率放大器和中速切换。
S1
TO-92
A
b1
性S E为T G中
飞机
REF 。
L
e1
e
b
C
A
S
1
b
b
1
C
毫米
分钟。
马克斯。
4.45
4.7
1.02
-
0.36
0.51
0.36
0.76
0.36
0.51
REF 。
D
E
L
e1
e
毫米
分钟。
马克斯。
4.44
4.7
3.30
3.81
12.70
-
1.150 1.390
2.42
2.66
绝对最大额定值大= 25 :
参数
评级
单位
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
收集电流(DC )
收集电流* (脉冲)
结温
存储温度范围
总功耗
VCBO
VCEO
VEBO
IC
IC
Tj
Ts
TG
PD
120
60
6
1
2
+150
-55 ~ +150
750
V
V
V
A
A
mW
特性在Ta = 25
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
* VCE (SAT)
* VBE (SAT)
VBE (ON)的
*hFE1
*hFE2
fT
COB
ts
tf
分钟。
120
60
6
-
-
-
-
600
135
81
100
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
150
0.9
640
-
-
160
-
0.07
0.95
0.07
马克斯。
-
-
-
100
100
300
1.2
700
600
-
-
19
-
-
-
单位
V
V
V
nA
nA
mV
mV
mV
测试条件
IC=100uA
IC=1mA
IE=10uA
VBE=60V
VBE=6V
lC=1A,IB=50mA
IC = 1A , IB = 50毫安
VCE=2V,IC=50mA
VCE=2V,IC=100mA
VCE=2V,IC=1A
VCE=2V,IC=100mA
VCB = 10V , IE = 0 , F = 1MHz的
VCE=10V,IC=100mA
IB1=-IB2=10mA
VBE(off)=2~-3V
*脉冲测试:脉冲宽度
380us ,占空比
2%
兆赫
pF
uS
uS
uS
中hFE1分类
范围
Y
135-270
G
200-400
L
300-600
GSD1616A
页次: 1/3