颁发日期： 2006/06/08
修订日期：
擦除（ ERASE ） ：
擦除（ ERASE ）指令清除指定的存储单元为逻辑“1”状态。
之后的操作码和地址位置被输入时，该芯片将进入一个擦除周期。当周期
完成后，芯片会自动进入待机模式。
WRITE （写） ：
写入（WRITE ）指令用于将写入一个特定的存储位置。如果字模式
（ ×16）被选择，则16位的数据将被写入的位置。如果字节模式（ X8 ）被选中，那么8位
数据将被写入的位置。的8位或16位被移位后的写周期将自动开始
入芯片。
全部清除（ ERAL ） ：
擦除所有（ ERAL ）指令主要用于测试目的，只
功能当V
CC
= 4.5V至5.5V 。该指令将清除整个存储器阵列为“1” 。
全部写入（ WRAL ） ：
写入所有（ WRAL ）指令将根据8编程整个存储器阵列
或16位数据模式提供。该指令将只在有效V
CC
= 4.5V至5.5V 。
擦/写禁止（EWDS ） ：
擦除/写禁止（ EWDS ）指令块任何擦除或
从修改存储器阵列的内容的程序操作。该指令后，应执行
擦除或编程，以防止数据的意外丢失。
还要注意的是READ指令将不管从程序的芯片是否被禁用操作和
写操作。
确定芯片是否已完成一个擦除或写入操作时，CS信号可以被拉低
为最小为250ns （叔
CS
），然后拉回高电平输入就绪/忙状态。如果目前的芯片是在
编程周期，T
WP
，则DO引脚将变为低电平（逻辑“0” ） 。当写操作完成后， DO
引脚被拉高（逻辑“1”）以指示该部分可以接收花药指令。请注意，就绪/忙
投票不能做，如果芯片已经完成并返回到待机模式。
就绪/忙
时序图
同步数据时序
注（1 ）：这是最小的SK周期。
对于时序图组织重点
I / O
A
N
D
N
GSC93BC46(1K)
X8
X16
A
6
A
5
D
7
D
15
GSC93BC56(2K)
X8
X16
(1)
A
8
A
7
(2)
D
7
D
15
GSC93BC66(4K)
X8
X16
A
8
A
7
D
7
D
15
注意：
1. A
8
是DO NOT CARE价值，但额外的时钟是必需的。
2. A
7
是DO NOT CARE价值，但额外的时钟是必需的。
GSC93BC46/56/66
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