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GSC4413 参数 Datasheet PDF下载

GSC4413图片预览
型号: GSC4413
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内容描述: P沟道增强型功率MOSFET [P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 292 K
品牌: GTM [ GTM CORPORATION ]
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颁发日期: 2006/02/24
修订日期:
电气特性( TJ = 25 :除非另有说明)
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度系数
符号
BV
DSS
BV
DSS
/
Tj
分钟。
-20
-
-0.5
-
-
-
-
-
典型值。
-
-0.01
-
16
-
-
-
-
-
-
17
4
7
12
11
40
13
1140
250
210
4.3
马克斯。
-
-
-1.5
-
±100
-1
-25
30
40
65
27
-
-
-
-
-
-
1820
-
-
-
单位
V
V/ :
V
S
nA
uA
uA
测试条件
V
GS
=0, I
D
=-250uA
参考25 :我
D
=-1mA
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250uA
V
DS
= -10V ,我
D
=-7A
V
GS
=±20V
V
DS
=-20V, V
GS
=0
V
DS
=-16V, V
GS
=0
V
GS
= -10V ,我
D
=-7A
栅极阈值电压
正向跨导
栅极 - 源极漏电流
漏极 - 源极漏电流( TJ = 25 : )
漏极 - 源极漏电流( TJ = 70 : )
V
GS ( TH)
g
fs
I
GSS
I
DSS
静态漏源导通电阻
2
R
DS ( ON)
-
-
m
V
GS
= -4.5V ,我
D
=-4A
V
GS
= -2.5V ,我
D
=-2A
I
D
=-7A
V
DS
=-16V
V
GS
=-4.5V
V
DS
=-10V
I
D
=-2A
V
GS
=-10V
R
G
=3.3
R
D
=10
V
GS
=0V
V
DS
=-25V
f=1.0MHz
f=1.0MHz
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极( “米勒” )变更
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
2
Q
g
Q
gs
Q
gd
T
D(上)
T
r
T
D(关闭)
T
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
nC
ns
pF
源极 - 漏极二极管
参数
正向电压上
2
反向恢复时间
2
反向恢复电荷
符号
V
SD
T
rr
Q
rr
分钟。
-
-
-
典型值。
-
28
22
马克斯。
-1.2
-
-
单位
V
ns
nC
测试条件
I
S
= -2A ,V
GS
=0V
I
S
= -7A ,V
GS
=0V
的di / dt = 100A / S
注意事项: 1,脉冲宽度有限的最大结温。
2.脉宽300US ,占空比2 % 。
3.表面安装1
2
FR4电路板的铜垫; 125 : /安装在闽当W 。铜垫。
GSC4413
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