克S- A684
描述
特点
!
!
颁发日期： 2003年10月24日
修改日期： 2004/11 / 29B
PNPEPI TA XIALPLANARTRANSISTOR
T
他GSA684是专为功放和驱动程序。
*
低集电极到发射极饱和电压V
CE
（SAT） 。
*互补配对GSC1384
D
包装尺寸
E
S1
TO-92
A
b1
性S E为T G中
飞机
REF 。
L
e1
e
b
C
A
S
1
b
b
1
C
毫米
分钟。
马克斯。
4.45
4.7
1.02
-
0.36
0.51
0.36
0.76
0.36
0.51
REF 。
D
E
L
e1
e
毫米
分钟。
马克斯。
4.44
4.7
3.30
3.81
12.70
-
1.150 1.390
2.42
2.66
绝对最大额定值
（ TA = 25 ：
参数
中，除非另有规定）
评级
单位
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
收集电流（DC ）
收集电流* （脉冲）
结温
存储温度范围
总功耗
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CBO
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
*h
FE1
*h
FE2
fT
COB
分钟。
-60
-50
-5
-
-
-
85
50
-
-
典型值。
-
-
-
-
-200
-0.85
160
100
200
11
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
Tj
Ts
TG
P
D
马克斯。
-
-
-
-0.1
-400
-1.2
340
-
-
20
单位
V
V
V
uA
mV
V
-60
-50
-5
-1
-1.5
+150
-55 ~ +150
1
测试条件
I
C
=-10uA,I
E
=0
I
C
=-2mA,I
B
=0
I
E
=-10uA,I
C
=0
V
CB
=-20V,I
E
=0
l
C
=-0.5A,I
B
=-50mA(note)
I
C
= -0.5A ，我
B
=-50mA(note)
V
CE
=-10V,I
C
=-500mA(note)
V
CE
=-5V,I
C
=-1A(note)
V
CE
=-10V,I
B
=-50mA,f=200MHz
V
CB
=-10V,I
E
=0,f=1MHz
V
V
V
A
A
W
电气特性
（ TA = 25 ：
中，除非另有规定）
兆赫
pF
注：脉冲测量
分类h及
FE
1
秩
范围
Q
85-170
R
120-240
S
170-340
重要通知：
保留所有权利。严禁复制全部或部分不GTM的事先书面批准。
GTM保留随时修改其产品，恕不另行通知。
GTM半导体产品不保证适合于生命支持应用程序或系统。
GTM自行提供客户产品设计，专利侵权，或申请援助的任何后果不承担任何责任。
总公司及工厂：
台湾：
17-1号大同路。傅口新竹工业园区，新竹，台湾， ROC
电话： 886-3-597-7061传真： 886-3-597-9220 ， 597-0785
中国：
（ 201203 ） 255号，长江财Lueng RD 。 ，浦勇鑫区尚海城，中国
电话： 86-21-5895-7671 〜 4传真： 86-21-38950165
1/1
GTM [ GTM CORPORATION ]
