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GS3018 参数 Datasheet PDF下载

GS3018图片预览
型号: GS3018
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内容描述: N沟道MOSFET [N-CHANNEL MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 340 K
品牌: GTM [ GTM CORPORATION ]
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无铅电镀产品
颁发日期: 2004年11月24日
修改日期: 2005/12 / 02C
GS3018
描述
特点
&放大器;
导通电阻。
N沟道MOSFET
BV
DSS
R
DS ( ON)
I
D
30V
8
115mA
N沟道增强型MOSFET
包装尺寸
&Fast开关速度。
&Low驱动电压( 2.5V )使该器件非常适用于便携式设备。
&Easily设计的驱动电路。
&Easy平行。
REF 。
A
A1
A2
D
E
HE
毫米
分钟。
马克斯。
0.8
1.10
0
0.10
0.8
1.00
1.80
2.20
1.15
1.35
1.80
2.40
REF 。
L1
L
b
c
e
Q1
毫米
分钟。
马克斯。
0.42参考。
0.15
0.35
0.25
0.40
0.10
0.25
0.65参考。
0.15 BSC 。
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
3
连续漏电流
连续漏电流
3
漏电流脉冲
1,2
功耗
线性降额因子
工作结存储温度范围
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25 :
I
D
@T
A
=100 :
I
DM
P
D
@T
A
=25 :
TJ , TSTG
符号
Rthj -A
评级
30
f 20
115
75
800
0.225
0.0018
-40 ~ +150
评级
556
单位
V
V
mA
mA
mA
W
W/
热数据
参数
热阻结到环境
3
马克斯。
单位
/W
GS3018
页次: 1/4