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GS3018K 参数 Datasheet PDF下载

GS3018K图片预览
型号: GS3018K
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内容描述: N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 295 K
品牌: GTM [ GTM CORPORATION ]
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颁发日期: 2005/04/27
修改日期: 2005/ 07 / 12B
电气特性( TJ = 25
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度系数
除非另有规定编)
分钟。
30
-
0.5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.06
-
600
-
-
-
-
-
1
0.5
0.5
12
10
56
29
32
8
6
马克斯。
-
-
2.0
-
D
10
1
100
8
13
1.6
-
-
-
-
-
-
50
-
-
pF
ns
nC
单位
V
V/ :
V
mS
uA
uA
uA
Ł
测试条件
V
GS
=0, I
D
=250uA
参考25 :我
D
=1mA
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 10V ,我
D
=600mA
20V
V
GS
= D
V
DS
=30V, V
GS
=0
V
DS
=24V, V
GS
=0
V
GS
= 4V ,我
D
=10mA
V
GS
= 2.5V ,我
D
=1mA
I
D
=600mA
V
DS
=50V
V
GS
=4.5V
V
DS
=30V
I
D
=600mA
V
GS
=10V
R
G
=3.3 Ł
R
D
=52 Ł
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
符号
BV
DSS
BV
DSS
/
Tj
栅极阈值电压
正向跨导
栅极 - 源极漏电流
漏极 - 源极漏电流( TJ = 25 : )
漏极 - 源极漏电流( TJ = 70 : )
V
GS ( TH)
g
fs
I
GSS
I
DSS
静态漏源导通电阻
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极( “米勒” )变更
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
R
DS ( ON)
Q
g
Q
gs
Q
gd
T
D(上)
T
r
T
D(关闭)
T
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
符号
V
SD
源极 - 漏极二极管
参数
正向电压上
2
分钟。
-
典型值。
-
马克斯。
1.2
单位
V
测试条件
I
S
= 1.2A ,V
GS
=0V
注意事项: 1,脉冲宽度有限的最大结温。
2.脉宽300US ,占空比2 % 。
3.表面安装在FR4板,T
10sec.
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