GS2N7002K 参数 Datasheet PDF下载

型号：	GS2N7002K
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内容描述：	N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	4 页 / 289 K
品牌：	GTM [ GTM CORPORATION ]

无铅电镀产品

颁发日期： 2005年9月19日

修订日期：

GS2N7002K

N沟道增强型功率MOSFET

DSS

DS （ ON）

60V

640mA

该GS2N7002K利用先进的加工技术，以实现尽可能低的导通电阻，

非常有效和符合成本效益的设备。

该GS2N7002K普遍适用于所有商业工业应用。

描述

特点

*简单的驱动要求

*小包装外形

*符合RoHS

包装尺寸

REF 。

毫米

分钟。

马克斯。

0.80

1.10

0.10

0.80

1.00

1.80

2.20

1.15

1.35

1.80

2.40

REF 。

毫米

分钟。

马克斯。

0.42参考。

0.15

0.35

0.25

0.40

0.10

0.25

0.65参考。

0.15 BSC 。

绝对最大额定值

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

, V

@10V

连续漏电流

, V

@10V

漏电流脉冲

1,2

功耗

线性降额因子

工作结存储温度范围

符号

=25 :

=70 :

=25 :

TJ ， TSTG

符号

Rthj -A

评级

f 20

640

500

950

0.35

0.003

-55 ~ +150

评级

360

单位

热数据

参数

热阻结到环境

马克斯。

单位

GS2N7002K

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