GS1333 参数 Datasheet PDF下载

型号：	GS1333
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内容描述：	P沟道增强型功率MOSFET [P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	4 页 / 298 K
品牌：	GTM [ GTM CORPORATION ]

无铅电镀产品

颁发日期： 2005年3月10日

修订日期：

GS1333

P沟道增强型功率MOSFET

DSS

DS （ ON）

-20V

800m

-550mA

描述

该GS1333提供设计师与快速切换的最佳组合，低导通电阻和

成本效益。

*简单的栅极驱动器

*小包装外形

*开关速度快

特点

包装尺寸

REF 。

毫米

分钟。

马克斯。

0.80

1.10

0.10

0.80

1.00

1.80

2.20

1.15

1.35

1.80

2.40

REF 。

毫米

分钟。

马克斯。

0.42参考。

0.15

0.35

0.25

0.40

0.10

0.25

0.65参考。

0.15 BSC 。

绝对最大额定值

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

1,2

漏电流脉冲

总功耗

线性降额因子

工作结存储温度范围

符号

=25 :

=70 :

=25 :

TJ ， TSTG

符号

Rthj -A

评级

-20

f 12

-550

-440

2.5

0.35

0.003

-55 ~ +150

评级

360

单位

热数据

参数

热阻结到环境

马克斯。

单位

1/4

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