GS1332E 参数 Datasheet PDF下载

型号：	GS1332E
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内容描述：	N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	4 页 / 247 K
品牌：	GTM [ GTM CORPORATION ]

无铅电镀产品

颁发日期： 2005年3月10日

修改日期： 2006/11 / 24C

GS1332E

N沟道增强型功率MOSFET

DSS

DS （ ON）

20V

600m

600mA

该GS1332E提供设计师与快速切换的最佳组合，低导通电阻和

成本效益。

*简单的栅极驱动器

*小包装外形

* 2KV ESD额定值（每MIL -STD- 883D ）

描述

特点

包装尺寸

REF 。

毫米

分钟。

马克斯。

0.80

1.10

0.10

0.80

1.00

1.80

2.20

1.15

1.35

1.80

2.40

REF 。

毫米

分钟。

马克斯。

0.42参考。

0.15

0.35

0.25

0.40

0.10

0.25

0.65参考。

0.15 BSC 。

绝对最大额定值

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

1,2

漏电流脉冲

总功耗

线性降额因子

符号

=25 :

=70 :

=25 :

TJ ， TSTG

符号

Rthj -A

工作结存储温度范围

评级

±5

600

470

2.5

0.35

0.003

-55 ~ +150

价值

360

单位

W/ :

单位

热数据

参数

热阻结到环境

马克斯。

GS1332E

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