GS123 参数 Datasheet PDF下载

型号：	GS123
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内容描述：	NPN外延型晶体管 [NPN EPITAXIAL TRANSISTOR]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	2 页 / 155 K
品牌：	GTM [ GTM CORPORATION ]

颁发日期： 2005/02/25

修订日期：

GS123

描述

包装尺寸

NPN外延型晶体管

在GS123是专为通用放大器应用。

REF 。

毫米

分钟。

马克斯。

0.80

1.10

0.10

0.80

1.00

1.80

2.20

1.15

1.35

1.80

2.40

REF 。

毫米

分钟。

马克斯。

0.42参考。

0.15

0.35

0.25

0.40

0.10

0.25

0.65参考。

0.15 BSC 。

在Ta绝对最大额定值= 25 ：

参数

结温

储存温度

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

集电极电流

总功耗

符号

TSTG

VCBO

VCEO

VEBO

评级

+150

-55 ~ +150

700

225

单位

特征

符号

BVCBO

BVCEO

BVEBO

ICBO

VCE （ SAT ）

VBE （ON）的

的hFE

COB

在TA = 25 ：

分钟。

150

典型值。

马克斯。

400

300

兆赫

单位

IC = 10uA的， IE = 0

IC = 1mA时， IB = 0

IE =为10uA ， IC = 0

VCB = 20V ， IE = 0

IC = 500毫安， IB = 50毫安

VCE = 1V ， IC = 150毫安

VCE = 10V ， IC = 20mA时， F = 100MHz的

VCB = 10V ， F = 1MHz的

测试条件

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