GP9960 参数 Datasheet PDF下载

型号：	GP9960
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内容描述：	N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	4 页 / 333 K
品牌：	GTM [ GTM CORPORATION ]

颁发日期： 2005/08/06

修订日期：

电气特性（ TJ = 25

参数

漏源击穿电压

击穿电压温度系数

除非另有规定编）

分钟。

1.0

典型值。

0.032

14.7

7.1

6.8

11.5

6.3

28.2

12.6

1725

235

145

马克斯。

3.0

100

单位

V/ :

mŁ

测试条件

=0, I

=250uA

参考25 ：我

=1mA

, I

=250uA

= 10V ，我

=7A

20V

= D

=40V, V

=32V, V

= 10V ，我

=7A

= 4.5V ，我

=5A

=7A

=20V

=4.5V

=20V

=1A

=10V

=3.3 Ł

=20 Ł

=0V

=25V

f=1.0MHz

符号

DSS

栅极阈值电压

正向跨导

栅极 - 源极漏电流

漏极 - 源极漏电流（ TJ = 25 ：）

漏极 - 源极漏电流（ TJ = 70 ：）

GS （ TH）

GSS

DSS

静态漏源导通电阻

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅 - 漏极（ “米勒” ）变更

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

DS （ ON）

D（上）

D（关闭）

国际空间站

OSS

RSS

源极 - 漏极二极管

参数

正向电压上

符号

分钟。

典型值。

马克斯。

1.3

1.54

单位

测试条件

= 2.3A ，V

=0V

=0V, V

=1.3V

连续源电流（

体二极管

)

注意事项： 1，脉冲宽度有限的最大结温。

2.脉宽300US ，占空比2 ％。

3.安装在1

FR4电路板的铜垫; 90 ： /安装在闽当W 。铜垫。

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