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GP4953 参数 Datasheet PDF下载

GP4953图片预览
型号: GP4953
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内容描述: P沟道增强型功率MOSFET [P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 301 K
品牌: GTM [ GTM CORPORATION ]
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无铅电镀产品
颁发日期: 2005/08/06
修订日期:
GP4953
P沟道增强型功率MOSFET
BV
DSS
R
DS ( ON)
I
D
-30V
53m
-5A
该GP4953提供设计师与快速切换,坚固耐用的设备设计,低的最佳组合
导通电阻和成本效益。
*低导通电阻
*简单的驱动要求
*快速切换
描述
特点
包装尺寸
D
压力表飞机
E
REF 。
A
A1
A2
b
b1
b2
b3
c
A
毫米
分钟。
马克斯。
-
0.381
2.921
0.356
0.356
1.143
0.762
0.203
0.5334
-
4.953
0.559
0.508
1.778
1.143
0.356
REF 。
c1
D
E
E1
e
HE
L
毫米
分钟。
马克斯。
0.203
0.279
9.017
10.16
6.096
7.112
7.620
8.255
2.540 BSC
-
10.92
2.921
3.810
飞机座位
Z
Z
b
L
区间Z - z
b
e
DIP-8
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
连续漏电流
3
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
工作结存储温度范围
c
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25 :
I
D
@T
A
=70 :
I
DM
P
D
@T
A
=25 :
TJ , TSTG
评级
-30
f 20
-5
-4
-20
2
0.016
-55 ~ +150
单位
V
V
A
A
A
W
W/
热数据
参数
热阻结到环境
3
马克斯。
符号
Rthj - AMB
价值
62.5
单位
/W
GP4953
页次: 1/4