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GMCR100 参数 Datasheet PDF下载

GMCR100图片预览
型号: GMCR100
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内容描述: 敏感门可控硅整流器反向阻断闸流体0.8A , 400V [SENSITIVE GATE SILICON CONTROLLED RECTIFIERS REVERSE BLOCKING THYRISTORS 0.8A, 400V]
分类和应用: 可控硅整流器
文件页数/大小: 3 页 / 207 K
品牌: GTM [ GTM CORPORATION ]
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颁发日期: 2005年9月28日
修改日期: 2006/ 03 / 29B
热特性
特征
热阻,结到外壳
结到环境
无铅焊锡温度(从案例< 1/16“ , 10秒最大)
符号
R
JC
R
JA
T
L
最大
75
200
260
单位
: /W
:
电气特性
(T
C
= 25 :除非另有说明)
特征
开关特性
峰值重复正向或反向阻断电流(注2 )
T
C
=25 :
(
V
DRM
= 400V和V
RRM
= 400V ; ř
GK
=1k )
T
C
=110 :
基本特征
正向峰值通态电压* (我
TM
= 1A的峰值@T
A
=25 : )
门极触发电流(连续DC) (注3 )
T
C
=25 :
(V
AK
= 7.0伏,R
L
=100 )
保持电流(注2 )
T
C
=25 :
T
C
=-40 :
(V
AK
= 7.0伏,起爆电流= 20mA)的
闩锁电流
T
C
=25 :
(V
AK
= 7.0伏,我
g
=200 A)
T
C
=-40 :
门极触发电压(连续DC ) (注3 )
T
C
=25 :
(V
AK
= 7.0伏,R
L
=100 )
T
C
=-40 :
动态特性
断态电压临界上升率
(V
D
= 400V ,指数波形,R
GK
=1000 , T
J
=110 : )
断态电流临界上升率
(I
PK
= 20AV ,P
W
= 10秒; DIG / DT = 1A /秒,我
gt
=20mA)
*表示脉冲测试:脉冲宽度1.0ms时,占空比
注2.R
GK
包括测量= 1000 。
注意3.Dose不包含R
GK
测量。
1%.
符号
典型值
最大
单位
I
DRM ,
I
RRM
-
-
10
100
1.7
100
5.0
10
10
15
0.8
1.2
-
50
A
V
TM
I
GT
I
H
I
L
V
GT
-
-
-
-
-
-
50
0.5
-
0.6
-
0.62
-
35
-
V
A
mA
mA
V
dv / dt的
的di / dt
20
-
V / S
A / S
可控硅电压电流特性
符号
V
DRM
I
DRM
V
RRM
I
RRM
V
TM
I
H
参数
重复峰值关闭状态正向电压
峰值正向阻断电流
峰值重复关闭状态反向电压
峰值反向电流阻断
山顶上的电压状态
保持电流
GMCR100-6
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