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GMBTA64 参数 Datasheet PDF下载

GMBTA64图片预览
型号: GMBTA64
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内容描述: PNP硅晶体管 [PNP SILICON TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 226 K
品牌: GTM [ GTM CORPORATION ]
 浏览型号GMBTA64的Datasheet PDF文件第2页  
克间B TA 6 4
描述
特点
&放大器;
直流电流增益
1/2
PNP硅晶体管
该GMBTA64是专为应用需要极高的电流增益在500mA的集电极电流。
&For与互补NPN型GMBTA14
包装尺寸
REF 。
A
B
C
D
E
F
毫米
分钟。
马克斯。
2.70
3.10
2.40
2.80
1.40
1.60
0.35
0.50
0
0.10
0.45
0.55
REF 。
G
H
K
J
L
M
毫米
分钟。
马克斯。
1.90 REF 。
1.00
1.30
0.10
0.20
0.40
-
0.85
1.15
0C
10 C
在Ta绝对最大额定值= 25 :
参数
结温
储存温度
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
符号
Tj
TSTG
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
D
评级
+150
-55 ~ +150
-30
-30
-10
-500
225
V
V
V
mA
mW
单位
特征
符号
在TA = 25 :
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
测试条件
BV
CBO
BV
CES
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE
(SAT)
V
BE
(上)
HFE1
HFE2
fT
-30
-30
-10
-
-
-
-
10K
20K
125
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-100
-100
-1.5
-2
-
-
V
V
V
nA
nA
V
V
I
C
= -100uA ,我
E
=0
I
C
= -100uA ,我
B
=0
I
E
= -10uA ,我
C
=0
V
CB
= -30V ,我
E
=0
V
CE
=-10V
I
C
= -100mA ,我
B
=-0.1mA
V
CE
= -5V ,我
C
=-100mA
V
CE
= -5V ,我
C
=-10mA
V
CE
= -5V ,我
C
=-100mA
兆赫
V
CE
= -5V ,我
C
= -100mA , F = 100MHz的
*脉冲
测试:脉冲宽度380us ,占空比Cycly 2 %