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GMBTA06 参数 Datasheet PDF下载

GMBTA06图片预览
型号: GMBTA06
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内容描述: NPN硅晶体管 [NPN SILICON TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 226 K
品牌: GTM [ GTM CORPORATION ]
 浏览型号GMBTA06的Datasheet PDF文件第2页  
颁发日期: 2003年7月15日
修改日期: 2006/ 05 / 26B
克间B TA 0 6
描述
包装尺寸
NPN硅晶体管
该GMBTA06是专为通用放大器应用。
REF 。
A
B
C
D
E
F
毫米
分钟。
马克斯。
2.70
3.10
2.40
2.80
1.40
1.60
0.35
0.50
0
0.10
0.45
0.55
REF 。
G
H
K
J
L
M
毫米
分钟。
马克斯。
1.90 REF 。
1.00
1.30
0.10
0.20
0.40
-
0.85
1.15
10°
在Ta绝对最大额定值= 25 :
参数
结温
储存温度
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
(Note1)
符号
Tj
TSTG
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
D
评级
+150
-55~+150
80
80
4
500
350
单位
:
:
V
V
V
mA
mW
注1.Device安装在FR - 4 = 1.6 * 1.6 * 0.06in
电气特性
( TA = 25 :
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
首席执行官
*V
CE ( SAT )
*V
BE(上)
*h
FE
1
*h
FE
2
fT
分钟。
80
80
4
-
-
-
-
50
50
100
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
中,除非另有说明)
马克斯。
-
-
-
100
100
250
1.2
-
-
-
兆赫
单位
V
V
V
nA
nA
mV
V
I
C
= 100uA的,我
E
=0
I
C
= 1mA时,我
B
=0
I
E
= 100uA的,我
C
=0
V
CB
= 80V ,我
E
=0
V
CE
= 80V ,我
B
=0
I
C
= 100mA时我
B
=10mA
V
CE
= 1V ,我
C
=100mA
V
CE
= 1V ,我
C
=10mA
V
CE
= 1V ,我
C
=100mA
V
CE
= 2V ,我
C
= 10毫安中,f = 100MHz的
*脉冲测试:脉冲宽度
380 S,占空比2 %
测试条件
GMBTA06
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