GMBTA05 参数 Datasheet PDF下载

型号：	GMBTA05
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内容描述：	NPN硅晶体管 [NPN SILICON TRANSISTOR]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	2 页 / 221 K
品牌：	GTM [ GTM CORPORATION ]

克间B TA 0 5

描述

该GMBTA05是晶体管放大器。

1/2

NPN硅晶体管

包装尺寸

REF

毫米

分钟。

马克斯。

2.70

3.10

2.40

2.80

1.40

1.60

0.35

0.50

0.10

0.45

0.55

REF 。

毫米

分钟。

马克斯。

1.90 REF 。

1.00

1.30

0.10

0.20

0.40

0.85

1.15

10 C

在Ta绝对最大额定值= 25 ：

参数

结温

储存温度

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

集电极电流

总功耗

符号

TSTG

VCBO

VCEO

VEBO

评级

+150

-55~+150

500

225

单位

特征

符号

BVCBO

BVCEO

BVEBO

ICBO

ICEO

* VCE （SAT）

VBE （ SAT ）

*hFE1

*hFE2

在TA = 25 ：

分钟。

100

典型值。

兆赫

马克斯。

100

250

1.2

单位

IC=100uA

IC=1mA

IE=100uA

VCB=60V

VCE=60V

IC = 100mA时IB = 10毫安

IC = 100mA时VCE = 1V

VCE = 1V ， IC = 10毫安

VCE = 1V ， IC =百毫安

VCE = 2V ， IC = 10毫安中，f = 100MHz的

测试条件

脉冲测试：脉冲宽度380us ，占空比2 ％

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