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GMBT8050L 参数 Datasheet PDF下载

GMBT8050L图片预览
型号: GMBT8050L
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内容描述: NPN外延型晶体管 [NPN EPITAXIAL TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 226 K
品牌: GTM [ GTM CORPORATION ]
 浏览型号GMBT8050L的Datasheet PDF文件第2页  
颁发日期: 2004年8月25日
修订日期:
通用汽车BT8050L
描述
包装尺寸
N P N ê P I TA X I A L T R A ñ S I S T Ø ř
该GMBT8050L (大电流)是专为通用放大器应用。
REF 。
A
B
C
D
E
F
毫米
分钟。
马克斯。
2.70
3.10
2.40
2.80
1.40
1.60
0.35
0.50
0
0.10
0.45
0.55
REF 。
G
H
K
J
L
M
毫米
分钟。
马克斯。
1.90 REF 。
1.00
1.30
0.10
0.20
0.40
-
0.85
1.15
0C
10 C
在Ta绝对最大额定值= 25 :
参数
结温
储存温度
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
符号
Tj
TSTG
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
评级
+150
-55 ~ +150
40
25
6
1.5
250
V
V
V
A
mW
单位
特征
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
VCE ( SAT )
VBE ( SAT )
VBE (ON)的
的hFE
的hFE
的hFE
fT
COB
在TA = 25 :
分钟。
40
25
6
-
-
-
-
45
120
40
100
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
-
-
-
100
100
0.5
1.2
1
-
500
-
-
10
兆赫
pF
单位
V
V
V
nA
nA
V
V
V
IC = 100uA的, IE = 0
IC = 2毫安, IB = 0
IE =为100uA , IC = 0
VCB = 35V , IE = 0
VEB=6V,IC=0
IC = 800毫安, IB = 80毫安
IC = 800毫安, IB = 80毫安
VCE=1V,IC=10mA
VCE = 1V , IC = 5毫安
VCE = 1V , IC =百毫安
VCE = 1V , IC = 800毫安
VCE = 10V , IC = 20mA时, F = 100MHz的
VCB = 10V , F = 1MHz的
测试条件
分类的hFE的
的hFE
DLC
120 - 200
DLD
160 - 300
DLE
250 - 500
1/2