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GMBT1132 参数 Datasheet PDF下载

GMBT1132图片预览
型号: GMBT1132
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内容描述: PNP外延平面晶体管 [PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 3 页 / 257 K
品牌: GTM [ GTM CORPORATION ]
 浏览型号GMBT1132的Datasheet PDF文件第2页浏览型号GMBT1132的Datasheet PDF文件第3页  
颁发日期: 2005/06/30
修订日期:
克间(B T) 11 3 2
描述
PNP外延平面晶体管
该GMBT1132是专为通用放大器应用。
特点
&放大器;
V
CE ( SAT )
= -200mV (典型值)。 (我
C
/I
B
=-500mA/-50mA)
包装尺寸
REF 。
A
B
C
D
E
F
毫米
分钟。
马克斯。
2.70
3.10
2.40
2.80
1.40
1.60
0.35
0.50
0
0.10
0.45
0.55
REF 。
G
H
K
J
L
M
毫米
分钟。
马克斯。
1.90 REF 。
1.00
1.30
0.10
0.20
0.40
-
0.85
1.15
0C
10 C
在Ta绝对最大额定值= 25 :
参数
结温
储存温度
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流( DC )
集电极电流(脉冲)
总功耗
符号
Tj
TSTG
VCBO
VCEO
VEBO
IC
IC
PD
中,除非另有说明)
马克斯。
单位
-
-
-
-500
-500
-500
390
-
30
兆赫
pF
V
V
V
nA
nA
mV
I
C
= -50uA ,我
E
=0
I
C
= -1mA ,我
B
=0
I
E
= -50uA ,我
C
=0
V
CB
= -20V ,我
E
=0
V
EB
= -4V ,我
C
=0
I
C
= -500mA ,我
B
=-50mA
V
CE
= -3V ,我
C
=-100mA
V
CE
= -5V ,我
C
= -50mA , F = 30MHz的
V
CB
= -10V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
*脉冲测试:脉冲宽度
380 S,占空比
2%
评级
+150
-55~+150
-40
-32
-5
-1
-2
225
单位
V
V
V
A
A
mW
电气特性
( TA = 25 :
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
*V
CE ( SAT )
*h
FE
fT
COB
分钟。
-40
-32
-5
-
-
-
82
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-200
-
150
20
测试条件
分类h及
FE
范围
B32P
82 - 180
B32Q
120 - 270
B32R
180 - 390
1/3