GL9973 参数 Datasheet PDF下载

型号：	GL9973
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内容描述：	N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	4 页 / 310 K
品牌：	GTM [ GTM CORPORATION ]

无铅电镀产品

颁发日期： 2005年4月6日

修订日期：

GL9973

N沟道增强型功率MOSFET

DSS

DS （ ON）

60V

80m

3.9A

描述

该GL9973提供设计师与快速切换，坚固耐用的设备设计，低的最佳组合

导通电阻和成本效益。

*简单的驱动要求

*低栅极电荷

特点

包装尺寸

SOT-223

REF 。

毫米

分钟。

马克斯。

6.70

7.30

2.90

3.10

0.02

0.10

10 C

0.60

0.80

0.25

0.35

REF 。

毫米

分钟。

马克斯。

13吨YP 。

2.30 REF 。

6.30

6.70

6.30

3.30

3.70

3.30

3.70

1.40

1.80

绝对最大额定值

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

, V

@10V

连续漏电流

, V

@10V

漏电流脉冲

1,2

总功耗

线性降额因子

工作结存储温度范围

符号

=25 :

=70 :

=25 :

TJ ， TSTG

评级

f 20

3.9

2.5

2.7

0.02

-55 ~ +150

单位

热数据

参数

热阻结到环境

马克斯。

符号

Rthj -A

价值

单位

GL9973

页次： 1/4

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