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GL9971 参数 Datasheet PDF下载

GL9971图片预览
型号: GL9971
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内容描述: N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 265 K
品牌: GTM [ GTM CORPORATION ]
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无铅电镀产品
颁发日期: 2005年11月11日
修订日期:
GL9971
N沟道增强型功率MOSFET
BV
DSS
R
DS ( ON)
I
D
60V
50m
5A
描述
该GL9971提供设计师与快速切换,坚固耐用的设备设计,低的最佳组合
导通电阻和成本效益。
特点
*低导通电阻
*简单的驱动要求
包装尺寸
SOT-223
REF 。
A
C
D
E
I
H
毫米
分钟。
马克斯。
6.70
7.30
2.90
3.10
0.02
0.10
10°
0.60
0.80
0.25
0.35
REF 。
B
J
1
2
3
4
5
毫米
分钟。
马克斯。
13°
典型值。
2.30 REF 。
6.30
6.70
6.30
6.70
3.30
3.70
3.30
3.70
1.40
1.80
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
, V
GS
@10V
连续漏电流
3
, V
GS
@10V
漏电流脉冲
1,2
总功耗
线性降额因子
工作结存储温度范围
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25 :
I
D
@T
A
=70 :
I
DM
P
D
@T
A
=25 :
TJ , TSTG
评级
60
±25
5
3.2
30
2.7
0.02
-55 ~ +150
单位
V
V
A
A
A
W
W/ :
:
热数据
参数
热阻结到环境
3
符号
马克斯。
Rthj - AMB
价值
45
单位
: /W
GL9971
页次: 1/4