无铅电镀产品
颁发日期: 2005年11月3日
修订日期:
GL9563
P沟道增强型功率MOSFET
BV
DSS
R
DS ( ON)
I
D
-40V
40m
-6A
该GL9563提供设计师与快速切换,坚固耐用的设备设计,低的最佳组合
导通电阻和成本效益。
采用SOT - 223封装普遍首选的所有商业工业表面贴装应用和
适用于低电压应用,如DC / DC转换器。
*简单的驱动要求
*低导通电阻
*快速开关特性
描述
特点
包装尺寸
SOT-223
REF 。
A
C
D
E
I
H
毫米
分钟。
马克斯。
6.70
7.30
2.90
3.10
0.02
0.10
0°
10°
0.60
0.80
0.25
0.35
REF 。
B
J
1
2
3
4
5
毫米
分钟。
马克斯。
13°
典型值。
2.30 REF 。
6.30
6.70
6.30
6.70
3.30
3.70
3.30
3.70
1.40
1.80
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
工作结存储温度范围
3
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25 :
I
D
@T
A
=70 :
I
DM
P
D
@T
A
=25 :
TJ , TSTG
评级
-40
±25
-6
-4.8
-30
2.7
0.02
-55 ~ +150
单位
V
V
A
A
A
W
W/ :
:
连续漏电流
3
热数据
参数
热阻结到环境
3
马克斯。
符号
Rthj -A
价值
50
单位
/W
GL9563
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