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    GL195A 参数 Datasheet PDF下载

    GL195A图片预览
    型号： GL195A
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN硅平面中功率晶体管 [NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR]
    分类和应用： 晶体晶体管局域网
    文件页数/大小： 2 页 / 387 K
    品牌： GTM [ GTM CORPORATION ]
     浏览型号GL195A的Datasheet PDF文件第2页  
    公司
    GL195A
    描述
    该GL195A是专为中等功率放大器的应用。
    颁发日期： 2006年6月7日
    修订日期：
    PNP硅平面中功率晶体管
    特点
    ＆放大器;
    安培连续电流
    1
    包装尺寸
    &Complementary到GL194A
    SOT-223
    REF 。
    A
    C
    D
    E
    I
    H
    毫米
    分钟。
    马克斯。
    6.70
    7.30
    2.90
    3.10
    0.02
    0.10
    0°
    10°
    0.60
    0.80
    0.25
    0.35
    REF 。
    B
    J
    1
    2
    3
    4
    5
    毫米
    分钟。
    马克斯。
    13°
    典型值。
    2.30 REF 。
    6.30
    6.70
    6.30
    6.70
    3.30
    3.70
    3.30
    3.70
    1.40
    1.80
    在Ta绝对最大额定值= 25 ：
    参数
    结温
    储存温度
    集电极 - 基极电压
    集电极到发射极电压
    发射器基极电压
    集电极电流（ DC ）
    集电极电流（脉冲）
    总功耗
    符号
    Tj
    TSTG
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    I
    C
    P
    D
    评级
    +150
    -55~+150
    -40
    -40
    -5
    -1
    -2
    2
    单位
    :
    :
    V
    V
    V
    A
    A
    W
    电气特性
    （ TA = 25 ：
    符号
    BV
    CBO
    * BV
    首席执行官
    BV
    EBO
    I
    CBO
    I
    CES
    I
    EBO
    *V
    CE （ SAT ）
    1
    *V
    CE （ SAT ）
    2
    *V
    CE （ SAT ）
    3
    *V
    BE （ SAT ）
    *V
    BE（上）
    *h
    FE
    1
    *h
    FE
    2
    *h
    FE
    3
    *h
    FE
    4
    *h
    FE
    5
    fT
    COB
    分钟。
    -40
    -40
    -5
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    300
    300
    250
    160
    30
    150
    -
    典型值。
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    除非另有说明）
    马克斯。
    单位
    测试条件
    -
    V
    I
    C
    = -100uA ，我
    E
    =0
    -
    V
    I
    C
    = -10mA ，我
    B
    =0
    -
    V
    I
    E
    = -100uA ，我
    C
    =0
    -100
    nA
    V
    CB
    = -30V ，我
    E
    =0
    -100
    nA
    V
    CES
    =-30V
    -100
    nA
    V
    EB
    = -4V ，我
    C
    =0
    -0.2
    V
    I
    C
    = -100mA ，我
    B
    =-1mA
    -0.35
    V
    I
    C
    = -500mA ，我
    B
    =-20mA
    -0.5
    V
    I
    C
    = -1A ，我
    B
    =-100mA
    -1.1
    V
    I
    C
    = -1A ，我
    B
    =-50mA
    -1.0
    V
    V
    CE
    = -5V ，我
    C
    =-1A
    -
    V
    CE
    = -5V ，我
    C
    =-1mA
    900
    V
    CE
    = -5V ，我
    C
    =-100mA
    -
    V
    CE
    = -5V ，我
    C
    =-500mA
    -
    V
    CE
    = -5V ，我
    C
    =-1A
    -
    V
    CE
    = -5V ，我
    C
    =-2A
    -
    兆赫
    V
    CE
    = -10V ，我
    C
    = -50mA ， F = 100MHz的
    10
    pF
    V
    CB
    = -10V ，我
    E
    = 0中，f = 1MHz的
    *脉冲条件下测得的。脉冲宽度= 300秒，占空比2 ％
    分类h及
    FE2
    秩
    范围
    P
    300 ~ 700
    Q
    500 ~ 900
    GL195A
    页次： 1/2

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