无铅电镀产品
颁发日期: 2005年11月16日
修订日期:
GJ9T 16
N沟道增强型功率MOSFET
BV
DSS
R
DS ( ON)
I
D
20V
25m
25A
该GJ9T16提供设计师与快速切换,坚固耐用的设备的设计,超的最佳组合
低导通电阻和成本效益。
在TO- 252封装普遍首选的所有商业工业表面贴装应用和
适用于低电压应用,如DC / DC转换器。
*低栅极电荷
*单驱动要求
*有能力2.5V栅极驱动
描述
特点
包装尺寸
TO-252
REF 。
A
B
C
D
E
F
S
毫米
分钟。
马克斯。
6.40
6.80
5.20
5.50
6.80
7.20
2.40
3.00
2.30 REF 。
0.70
0.90
0.60
0.90
REF 。
G
H
J
K
L
M
R
毫米
分钟。
马克斯。
0.50
0.70
2.20
2.40
0.45
0.55
0
0.15
0.90
1.50
5.40
5.80
0.80
1.20
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流, V
GS
@4.5V
连续漏电流, V
GS
@4.5V
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
工作结存储温度范围
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25 :
I
D
@T
C
=100 :
I
DM
P
D
@T
C
=25 :
TJ , TSTG
评级
20
±12
25
16
90
25
0.2
-55 ~ +150
单位
V
V
A
A
A
W
W/ :
:
热数据
参数
热阻结案件
热阻结到环境
马克斯。
马克斯。
符号
Rthj -C
Rthj -A
价值
5
110
单位
:
/W
: /W
GJ9T16
页次: 1/4