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GJ494 参数 Datasheet PDF下载

GJ494图片预览
型号: GJ494
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内容描述: N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 257 K
品牌: GTM [ GTM CORPORATION ]
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颁发日期: 2006年12月7日
修订日期:
电气特性( TJ = 25 :除非另有说明)
参数
漏源击穿电压
栅极阈值电压
正向跨导
栅极 - 源极漏电流
漏极 - 源极漏电流( TJ = 25 : )
漏极 - 源极漏电流( TJ = 55 : )
符号
BV
DSS
V
GS ( TH)
g
fs
I
GSS
I
DSS
分钟。
30
1.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
40
-
-
-
-
-
22
3.7
2.7
10
6.3
21
2.8
1210
330
85
马克斯。
-
2.5
-
±100
1
25
11
13.5
28
-
-
-
-
-
-
1452
-
-
单位
V
V
S
nA
uA
uA
m
测试条件
V
GS
=0, I
D
=250uA
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 5V ,我
D
=20A
V
GS
= ±12V
V
DS
=30V, V
GS
=0
V
DS
=24V, V
GS
=0
V
GS
= 10V ,我
D
=20A
V
GS
= 4.5V ,我
D
=20A
I
D
=20A
V
DS
=15V
V
GS
=10V
V
DS
=15V
V
GS
=10V
R
G
=3
R
L
=0.75
V
GS
=0V
V
DS
=15V
f=1.0MHz
静态漏源导通电阻
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极( “米勒” )变更
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
2
R
DS ( ON)
Q
g
Q
gs
Q
gd
T
D(上)
T
r
T
D(关闭)
T
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
nC
ns
pF
源极 - 漏极二极管
参数
正向电压上
2
连续源电流(
体二极管
)
符号
V
SD
I
S
T
rr
Q
rr
分钟。
-
-
-
-
典型值。
-
-
36
47
马克斯。
1.0
55
-
-
单位
V
A
ns
nC
测试条件
I
S
= 1A ,V
GS
=0V
V
D
= V
G
=0V, V
S
=1.0V
I
S
= 20A ,V
GS
=0V
的di / dt = 100A / S
反向恢复时间
2
反向恢复电荷
注意事项: 1,脉冲宽度有限的安全工作区。
2.脉宽300US ,占空比2 % 。
GJ494
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