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GJ3055S 参数 Datasheet PDF下载

GJ3055S图片预览
型号: GJ3055S
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内容描述: N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 5 页 / 321 K
品牌: GTM [ GTM CORPORATION ]
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颁发日期: 2006年5月19日
修改日期: 2006/11 / 09B
电气特性( TJ = 25 :除非另有说明)
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度系数
符号
BV
DSS
BV
DSS
/
Tj
分钟。
20
-
0.5
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.037
-
7
-
-
-
-
-
-
18.9
2.1
2.4
14.3
11.9
22.1
16.7
614
151
116
马克斯。
-
-
1.2
-
±100
1
25
25
30
40
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
V
V/ :
V
S
nA
uA
uA
测试条件
V
GS
=0, I
D
=250uA
参考25 :我
D
=1mA
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 10V ,我
D
=6A
V
GS
= ±8V
V
DS
=20V, V
GS
=0
V
DS
=16V, V
GS
=0
V
GS
= 10V ,我
D
=8A
栅极阈值电压
正向跨导
栅极 - 源极漏电流
漏极 - 源极漏电流( TJ = 25 : )
漏极 - 源极漏电流( TJ =
150
: )
V
GS ( TH)
g
fs
I
GSS
I
DSS
静态漏源导通电阻
R
DS ( ON)
-
-
m
V
GS
= 4.5V ,我
D
=6A
V
GS
= 2.5V ,我
D
=5.2A
I
D
=6A
V
DS
=10V
V
GS
=10V
V
DS
=10V
I
D
=1A
V
GS
=4.5V
R
G
=6
R
L
=10
V
GS
=0V
V
DS
=8V
f=1.0MHz
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极( “米勒” )变更
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
2
Q
g
Q
gs
Q
gd
T
D(上)
T
r
T
D(关闭)
T
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
nC
ns
pF
源极 - 漏极二极管
参数
正向电压上
2
连续源电流(
体二极管
)
脉冲源电流(
体二极管
)
1
符号
V
SD
I
S
I
SM
分钟。
-
-
-
典型值。
-
-
-
马克斯。
1.3
18
30
单位
V
A
A
测试条件
I
S
= 18A ,V
GS
= 0V , TJ = 25 :
V
D
= V
G
=0V, V
S
=1.3V
注意事项: 1,脉冲宽度有限的安全工作区。
2.脉宽300US ,占空比2 % 。
GJ3055S
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