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GI3302 参数 Datasheet PDF下载

GI3302图片预览
型号: GI3302
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内容描述: N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 281 K
品牌: GTM [ GTM CORPORATION ]
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颁发日期: 2005年8月24日
修订日期:
电气特性( TJ = 25
参数
漏源击穿电压
栅极阈值电压
栅极 - 源极漏电流
漏极 - 源极漏电流( TJ = 25 : )
漏极 - 源极漏电流( TJ =
150 :
)
除非另有规定编)
分钟。
25
2.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
7.4
2.2
4.2
8
7.4
11
3
164
158
62
马克斯。
-
4.0
D
100
1
25
50
13
-
-
-
-
-
-
290
-
-
pF
ns
nC
单位
V
V
nA
uA
uA
测试条件
V
GS
=0, I
D
=250uA
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
GS
= D
20V
V
DS
=25V, V
GS
=0
V
DS
=20V, V
GS
=0
V
GS
= 10V ,我
D
=8A
I
D
=10A
V
DS
=20V
V
GS
=10V
V
DS
=15V
I
D
=16A
V
GS
=10V
R
G
=3.3 Ł
R
D
=0.94 Ł
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
符号
BV
DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
R
DS ( ON)
Q
g
Q
gs
Q
gd
T
D(上)
T
r
T
D(关闭)
T
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
静态漏源导通电阻
2
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极( “米勒” )变更
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
2
源极 - 漏极二极管
参数
正向电压上
2
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
V
SD
T
rr
Q
rr
分钟。
-
-
-
典型值。
-
29
21
马克斯。
1.3
-
-
单位
V
ns
nC
测试条件
I
S
= 16A ,V
GS
=0V
I
S
= 16A ,V
GS
=0V
的di / dt = 100A / S
注意事项: 1,脉冲宽度有限的安全工作区。
2.脉宽300US ,占空比2 % 。
G
I
3302
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