无铅电镀产品
颁发日期: 2005年11月24日
修订日期:
G
I
15T 03
描述
N沟道增强型功率MOSFET
BV
DSS
R
DS ( ON)
I
D
30V
80m
12A
对G
I
15T03提供设计师与快速切换,坚固耐用的设备设计,低的最佳组合
导通电阻和成本效益。
通孔版(TO- 251 )是可用于低轮廓的应用和适合于低电压
应用,如DC / DC转换器。
*低栅极电荷
*简单的驱动要求
*快速开关特性
特点
包装尺寸
TO-251
REF 。
A
B
C
D
E
F
毫米
分钟。
马克斯。
6.40
6.80
5.20
5.50
6.80
7.20
7.20
7.80
2.30 REF 。
0.60
0.90
REF 。
G
H
J
K
L
M
毫米
分钟。
马克斯。
0.50
0.70
2.20
2.40
0.45
0.55
0.45
0.60
0.90
1.50
5.40
5.80
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
连续漏电流
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
工作结存储温度范围
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25 :
I
D
@T
C
=100 :
I
DM
P
D
@T
C
=25 :
TJ , TSTG
评级
30
±20
12
6.4
50
12.5
0.1
-55 ~ +150
单位
V
V
A
A
A
W
W/ :
:
热数据
参数
热阻结案件
热阻结到环境
马克斯。
马克斯。
符号
Rthj -C
Rthj -A
价值
10
110
单位
:
/W
: /W
G
I
15T03
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