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    GESD1060 参数 Datasheet PDF下载

    GESD1060图片预览
    型号： GESD1060
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN外延平面晶体管 [NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR]
    分类和应用： 晶体晶体管局域网
    文件页数/大小： 3 页 / 424 K
    品牌： GTM [ GTM CORPORATION ]
     浏览型号GESD1060的Datasheet PDF文件第2页浏览型号GESD1060的Datasheet PDF文件第3页  
    颁发日期： 2005年9月5日
    修订日期：
    GESD1060
    描述
    NPN外延平面牛逼RANSISTOR
    该GESD1060是专为继电器驱动器，高速逆变器，转换器等普通的大电流
    切换。
    特点
    ＆放大器;
    集电极 - 发射极饱和电压： V
    CE （SAT）
    = 0.4V （最大值） @我
    C
    = 3A ，我
    B
    =0.3A,
    低
    包装尺寸
    REF 。
    A
    b
    c
    D
    E
    L4
    L5
    毫米
    分钟。
    马克斯。
    4.40
    4.80
    0.76
    1.00
    0.36
    0.50
    8.60
    9.00
    9.80
    10.4
    14.7
    15.3
    6.20
    6.60
    REF 。
    c1
    b1
    L
    e
    L1
    Ø
    A1
    毫米
    分钟。
    马克斯。
    1.25
    1.45
    1.17
    1.47
    13.25
    14.25
    2.54 REF 。
    2.60
    2.89
    3.71
    3.96
    2.60
    2.80
    绝对最大额定值
    (T
    A
    =25 : )
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极到发射极电压
    发射器基极电压
    集电极电流
    集电极电流（脉冲）
    器件总功耗（T
    C
    =25 : )
    结温
    储存温度
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    I
    CP
    P
    D
    T
    J
    T
    英镑
    评级
    60
    50
    6
    5
    9
    30
    150
    -55 ~ +150
    单位
    V
    V
    V
    A
    A
    W
    :
    :
    电气特性
    (T
    A
    = 25 ：除非另有说明）
    符号
    BV
    CBO
    BV
    首席执行官
    BV
    EBO
    I
    CBO
    I
    EBO
    *V
    CE （ SAT ）
    *h
    FE
    1
    *h
    FE
    2
    fT
    COB
    t
    on
    （导通时间）
    t
    英镑
    （存储时间）
    t
    f
    （下降时间）
    分钟。
    60
    50
    6
    -
    -
    -
    70
    30
    -
    -
    -
    -
    -
    典型值。
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    30
    100
    0.1
    1.4
    0.2
    马克斯。
    -
    -
    -
    100
    100
    0.4
    280
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    *脉冲测试：脉冲宽度
    380 S，占空比
    2%
    单位
    V
    V
    V
    uA
    uA
    V
    I
    C
    = 1mA时，我
    E
    =0
    I
    C
    = 1mA时，我
    B
    =0
    I
    E
    = 1mA时，我
    C
    =0
    V
    CB
    = 40V ，我
    E
    =0
    V
    EB
    = 4V ，我
    C
    =0
    I
    C
    = 3A ，我
    B
    =0.3A
    V
    CE
    = 2V ，我
    C
    =1A
    V
    CE
    = 2V ，我
    C
    =3A
    兆赫
    pF
    uS
    V
    CE
    = 5V ，我
    C
    =1A
    测试条件
    V
    CB
    = 10V ，我
    E
    = 0中，f = 1MHz的
    请参阅特定网络版测试电路
    GESD1060
    页次： 1/3

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