GE9971 参数 Datasheet PDF下载

型号：	GE9971
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内容描述：	N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	4 页 / 240 K
品牌：	GTM [ GTM CORPORATION ]

颁发日期： 2005年11月3日

修订日期：

电气特性（ TJ = 25 ：除非另有说明）

参数

漏源击穿电压

击穿电压温度系数

符号

DSS

分钟。

1.0

典型值。

0.05

1700

160

110

马克斯。

3.0

±100

2700

单位

V/ :

测试条件

=0, I

=250uA

参考25 ：我

=1mA

, I

=250uA

= 10V ，我

=18A

= ±20V

=60V, V

=48V, V

= 10V ，我

=18A

= 4.5V ，我

=12A

=18A

=48V

=4.5V

=30V

=18A

=10V

=3.3

=1.67

=0V

=25V

f=1.0MHz

栅极阈值电压

正向跨导

栅极 - 源极漏电流

漏极 - 源极漏电流（ TJ = 25 ：）

漏极 - 源极漏电流（ TJ =

150 :

)

GS （ TH）

GSS

DSS

静态漏源导通电阻

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅 - 漏极（ “米勒” ）变更

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

DS （ ON）

D（上）

D（关闭）

国际空间站

OSS

RSS

源极 - 漏极二极管

参数

正向电压上

反向恢复时间

反向恢复电荷

符号

分钟。

典型值。

马克斯。

1.2

单位

测试条件

= 25A ，V

=0V

= 18A ，V

=0V

的di / dt = 100A / S

注意事项： 1，脉冲宽度有限的安全工作区。

2.脉宽300US ，占空比2 ％。

GE9971

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