GE6679 参数 Datasheet PDF下载

型号：	GE6679
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内容描述：	P沟道增强型功率MOSFET [P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	4 页 / 287 K
品牌：	GTM [ GTM CORPORATION ]

颁发日期： 2005/06/30

修订日期：

电气特性（ TJ = 25

参数

漏源击穿电压

击穿电压温度系数

除非另有规定编）

分钟。

-30

-1.0

典型值。

-0.03

2870

960

740

马克斯。

-3.0

100

-1

-25

4590

单位

V/ :

mŁ

测试条件

=0, I

=-250uA

参考25 ：我

=-1mA

, I

=-250uA

= -10V ，我

=-24A

25V

= D

=-30V, V

=-24V, V

= -10V ，我

=-30A

= -4.5V ，我

=-24A

=-16A

=-24V

=-4.5V

=-15V

=-16A

=-10V

=3.3 Ł

=0.94 Ł

=0V

=-25V

f=1.0MHz

符号

DSS

栅极阈值电压

正向跨导

栅极 - 源极漏电流

漏极 - 源极漏电流（ TJ = 25 ：）

漏极 - 源极漏电流（ TJ =

150 :

)

GS （ TH）

GSS

DSS

静态漏源导通电阻

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅 - 漏极（ “米勒” ）变更

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

DS （ ON）

D（上）

D（关闭）

国际空间站

OSS

RSS

源极 - 漏极二极管

参数

正向电压上

反向恢复时间

反向恢复电荷

符号

分钟。

典型值。

马克斯。

-1.2

单位

测试条件

= -24A ，V

=0V

=-16, V

=0V

的di / dt = 100A / S

注意事项： 1，脉冲宽度有限的安全工作区。

2.脉宽300US ，占空比2 ％。

GE6679

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