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    GE60L02 参数 Datasheet PDF下载

    GE60L02图片预览
    型号： GE60L02
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 5 页 / 253 K
    品牌： GTM [ GTM CORPORATION ]
     浏览型号GE60L02的Datasheet PDF文件第1页浏览型号GE60L02的Datasheet PDF文件第3页浏览型号GE60L02的Datasheet PDF文件第4页浏览型号GE60L02的Datasheet PDF文件第5页  
    颁发日期： 2005/03/01
    修改日期： 2005/12 / 12B
    电气特性（ TJ = 25 ：除非另有说明）
    参数
    漏源击穿电压
    击穿电压温度系数
    符号
    BV
    DSS
    BV
    DSS
    /
    Tj
    分钟。
    25
    -
    1.0
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    典型值。
    -
    0.037
    -
    30
    -
    -
    -
    -
    -
    21
    2.8
    16
    8
    75
    22
    20
    605
    415
    195
    马克斯。
    -
    -
    3.0
    -
    ±100
    1
    25
    13
    26
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    单位
    V
    V/ :
    V
    S
    nA
    uA
    uA
    m
    测试条件
    V
    GS
    =0, I
    D
    =250uA
    参考25 ：我
    D
    =1mA
    V
    DS
    =V
    GS
    , I
    D
    =250uA
    V
    DS
    = 10V ，我
    D
    =25A
    V
    GS
    = ±20V
    V
    DS
    =25V, V
    GS
    =0
    V
    DS
    =20V, V
    GS
    =0
    V
    GS
    = 10V ，我
    D
    =25A
    V
    GS
    = 4.5V ，我
    D
    =20A
    I
    D
    =25A
    V
    DS
    =20V
    V
    GS
    =5V
    V
    DS
    =15V
    I
    D
    =20A
    V
    GS
    =10V
    R
    G
    =3.3
    R
    D
    =0.75
    V
    GS
    =0V
    V
    DS
    =25V
    f=1.0MHz
    栅极阈值电压
    正向跨导
    栅极 - 源极漏电流
    漏极 - 源极漏电流（ TJ = 25 ： ）
    漏极 - 源极漏电流（ TJ =
    150 :
    )
    V
    GS （ TH）
    g
    fs
    I
    GSS
    I
    DSS
    静态漏源导通电阻
    总栅极电荷
    2
    栅极 - 源电荷
    栅 - 漏极（ “米勒” ）变更
    导通延迟时间
    2
    上升时间
    打开-O FF延迟时间
    下降时间
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    R
    DS （ ON）
    Q
    g
    Q
    gs
    Q
    gd
    T
    D（上）
    T
    r
    T
    D（关闭）
    T
    f
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    nC
    ns
    pF
    源极 - 漏极二极管
    参数
    正向电压上
    2
    连续源电流（
    体二极管
    )
    脉冲源电流（
    体二极管
    )
    1
    符号
    V
    SD
    I
    S
    I
    SM
    分钟。
    -
    -
    -
    典型值。
    -
    -
    -
    马克斯。
    1.26
    50
    180
    单位
    V
    A
    A
    测试条件
    I
    S
    = 50A ，V
    GS
    = 0V ， TJ = 25 ：
    V
    D
    =V
    G
    =0V, V
    S
    =1.26V
    漏源雪崩额定值
    参数
    单脉冲雪崩能量
    2
    雪崩电流
    符号
    E
    AS
    I
    AR
    分钟。
    -
    -
    典型值。
    -
    -
    马克斯。
    61
    35
    单位
    mJ
    A
    测试条件
    V
    DD
    = 25V ，我
    D
    = 35A ，L = 100UH
    V
    GS
    =10V,
    注意事项： 1，脉冲宽度有限的安全工作区。
    2.脉宽300US ，占空比2 ％ 。
    GE60L02
    页： 2/5

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