GE2761 参数 Datasheet PDF下载

型号：	GE2761
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内容描述：	N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	4 页 / 298 K
品牌：	GTM [ GTM CORPORATION ]

无铅电镀产品

颁发日期： 2005/05/17

修订日期：

GE2761

N沟道增强型功率MOSFET

DSS

DS （ ON）

600/650V

1.0

10A

该GE2761系列为设计人员提供快速切换的最佳组合，坚固耐用的设备设计，低

导通电阻和成本效益。

通孔版

(TO-220)

可用于低轮廓的应用和适合于低电压应用

例如

直流/直流

转换器。

*低导通电阻

*简单的驱动要求

*符合RoHS

*快速开关特性

描述

特点

包装尺寸

REF 。

毫米

分钟。

马克斯。

4.40

4.80

0.76

1.00

0.36

0.50

8.60

9.00

9.80

10.4

14.7

15.3

6.20

6.60

REF 。

毫米

分钟。

马克斯。

1.25

1.45

1.17

1.47

13.25

14.25

2.54 REF 。

2.60

2.89

3.71

3.96

2.60

2.80

绝对最大额定值

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流， V

@10V

连续漏电流， V

@10V

漏电流脉冲

总功耗

线性降额因子

雪崩电流

工作结存储温度范围

符号

- /A

=25 :

=100 :

=25 :

TJ ， TSTG

评级

600/650

f 30

4.4

104

0.8

-55 ~ +150

单位

热数据

参数

热阻结案件

热阻结到环境

马克斯。

符号

Rthj -C

Rthj -A

价值

1.2

单位

1/4

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