无铅电镀产品
颁发日期： 2006/01/19
修订日期：
GE15P10
P沟道增强型功率MOSFET
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
-100V
210m
-16A
该GE15P10 （ TO- 220通孔封装版本）可用于小尺寸的应用程序和适合
低电压应用，例如高效率开关DC / DC转换器和DC电机控制。
*简单的驱动要求
*低导通电阻
*快速开关特性
*符合RoHS
描述
特点
包装尺寸
REF 。
A
b
c
D
E
L4
L5
毫米
分钟。
马克斯。
4.40
4.80
0.76
1.00
0.36
0.50
8.60
9.00
9.80
10.4
14.7
15.3
6.20
6.60
REF 。
c1
b1
L
e
L1
Ø
A1
毫米
分钟。
马克斯。
1.25
1.45
1.17
1.47
13.25
14.25
2.54 REF 。
2.60
2.89
3.71
3.96
2.60
2.80
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流， V
GS
@10V
连续漏电流， V
GS
@10V
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
工作结存储温度范围
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25 :
I
D
@T
C
=100 :
I
DM
P
D
@T
C
=25 :
TJ ， TSTG
评级
-100
±20
-16
-9.8
-64
96
0.77
-55 ~ +150
单位
V
V
A
A
A
W
W/ :
:
热数据
参数
热阻结案件
热阻结到环境
马克斯。
马克斯。
符号
Rthj -C
Rthj -A
价值
1.3
62
单位
:
/W
: /W
GE15P10
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GTM [ GTM CORPORATION ]
