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    GE13005 参数 Datasheet PDF下载

    GE13005图片预览
    型号： GE13005
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN硅三重扩散型台面型晶体管 [NPN SILICON TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE TRANSISTOR]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 3 页 / 327 K
    品牌： GTM [ GTM CORPORATION ]
     浏览型号GE13005的Datasheet PDF文件第2页浏览型号GE13005的Datasheet PDF文件第3页  
    颁发日期： 2005年1月12日
    修订日期：
    GE13005
    NPN硅三重扩散型台面型晶体管
    描述
    该GE13005是专为电子变压器和功率开关电路应用。
    包装尺寸
    REF 。
    A
    b
    c
    D
    E
    L4
    L5
    毫米
    分钟。
    马克斯。
    4.40
    4.80
    0.76
    1.00
    0.36
    0.50
    8.60
    9.00
    9.80
    10.4
    14.7
    15.3
    6.20
    6.60
    REF 。
    c1
    b1
    L
    e
    L1
    Ø
    A1
    毫米
    分钟。
    马克斯。
    1.25
    1.45
    1.17
    1.47
    13.25
    14.25
    2.54 REF 。
    2.60
    2.89
    3.71
    3.96
    2.60
    2.80
    在Ta绝对最大额定值= 25 ：
    参数
    结温
    储存温度
    集电极 - 基极电压
    集电极到发射极电压
    发射器基极电压
    集电极电流
    在Tc总功耗= 25 ：
    符号
    Tj
    TSTG
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    PD
    评级
    +150
    -55 ~ +150
    700
    400
    9
    4
    75
    V
    V
    V
    A
    W
    单位
    电气特性（ TC = 25
    参数
    集电极 - 发射极电压维持
    集电极 - 基极击穿电压
    发射极 - 基极击穿电压
    收藏家Cuto FF电流
    集电极 - 发射极截止电流
    发射基截止电流
    集电极 - 发射极饱和电压
    基射极饱和电压
    直流电流增益
    频率特性
    开启时间
    贮存时间
    下降时间
    除非另有规定编）
    分钟。
    400
    700
    9
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    8
    5
    4
    -
    -
    -
    符号
    V
    首席执行官
    （ SUS）的
    BV
    CBO
    BV
    EBO
    I
    CBO
    I
    首席执行官
    I
    EBO
    *VCE(sat)1
    *VCE(sat)2
    * VBE （SAT）
    *H
    FE
    1
    *H
    FE
    2
    f
    T
    吨
    TSTG
    tf
    典型值。
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    马克斯。
    -
    -
    -
    100
    50
    10
    0.8
    2.0
    1.6
    60
    40
    -
    0.8
    4
    0.9
    单位
    V
    V
    V
    A
    A
    A
    V
    V
    V
    测试条件
    I
    C
    = 10毫安，我
    B
    =0
    I
    C
    = 1mA时，我
    E
    =0
    I
    E
    = 1mA时，我
    C
    =0
    V
    CB
    =700V
    V
    CE
    =400V
    V
    EB
    =7V
    I
    C
    = 1A ，我
    B
    =200mA
    I
    C
    = 4A ，我
    B
    =1A
    I
    C
    = 2A ，我
    B
    =500mA
    V
    CE
    = 10V ，我
    C
    =500mA
    V
    CE
    = 5V ，我
    C
    =2A
    兆赫
    s
    V
    CE
    = 10V ，我
    C
    = 500毫安， F = 1MHz的
    V
    CC
    = 125V ，我
    C
    = 2A ，我
    B1
    =I
    B2
    =0.4A
    *脉冲测试：脉冲宽度= 300秒，占空比
    ¯
    %
    1/3

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