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    GE09N70 参数 Datasheet PDF下载

    GE09N70图片预览
    型号： GE09N70
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 5 页 / 305 K
    品牌： GTM [ GTM CORPORATION ]
     浏览型号GE09N70的Datasheet PDF文件第1页浏览型号GE09N70的Datasheet PDF文件第3页浏览型号GE09N70的Datasheet PDF文件第4页浏览型号GE09N70的Datasheet PDF文件第5页  
    颁发日期： 2005年4月21日
    修订日期：
    电气特性（ TJ = 25
    参数
    除非另有规定编）
    分钟。
    600
    典型值。
    -
    -
    -
    0.6
    -
    4.5
    -
    -
    -
    -
    44
    11
    12
    19
    21
    56
    24
    2660
    170
    10
    马克斯。
    -
    -
    -
    -
    4.0
    -
    D
    1
    100
    500
    0.75
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    pF
    ns
    nC
    单位
    V
    V
    V
    V/ :
    V
    S
    uA
    uA
    uA
    测试条件
    V
    GS
    =0, I
    D
    =250uA
    V
    GS
    =0, I
    D
    =250uA
    V
    GS
    =0, I
    D
    =250uA
    -
    A
    H
    符号
    漏源击穿电压
    BV
    DSS
    650
    700
    击穿电压温度系数
    BV
    DSS
    /
    Tj
    -
    2.0
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    参考25 ：我
    D
    =1mA
    V
    DS
    =V
    GS
    , I
    D
    =250uA
    V
    DS
    = 50V ，我
    D
    =4.5A
    V
    GS
    = D
    20V
    V
    DS
    =600V, V
    GS
    =0
    V
    DS
    =480V, V
    GS
    =0
    V
    GS
    = 10V ，我
    D
    =4.5A
    I
    D
    =9A
    V
    DS
    =480V
    V
    GS
    =10V
    V
    DD
    =300V
    I
    D
    =9A
    V
    GS
    =10V
    R
    G
    =10 Ł
    R
    D
    =34 Ł
    V
    GS
    =0V
    V
    DS
    =25V
    f=1.0MHz
    栅极阈值电压
    正向跨导
    栅极 - 源极漏电流
    漏极 - 源极漏电流（ TJ = 25 ： ）
    漏极 - 源极漏电流（ TJ =
    150 :
    )
    V
    GS （ TH）
    g
    fs
    I
    GSS
    I
    DSS
    R
    DS （ ON）
    Q
    g
    Q
    gs
    Q
    gd
    T
    D（上）
    T
    r
    T
    D（关闭）
    T
    f
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    静态漏源导通电阻
    总栅极电荷
    3
    栅极 - 源电荷
    栅 - 漏极（ “米勒” ）变更
    导通延迟时间
    3
    上升时间
    打开-O FF延迟时间
    下降时间
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    源极 - 漏极二极管
    参数
    正向电压上
    3
    连续源电流（
    体二极管
    )
    脉冲源电流（
    体二极管
    )
    1
    符号
    V
    SD
    I
    S
    I
    SM
    分钟。
    -
    -
    -
    典型值。
    -
    -
    -
    马克斯。
    1.5
    9
    40
    单位
    V
    A
    A
    测试条件
    I
    S
    = 9A ，V
    GS
    = 0V ， TJ = 25 ：
    V
    D
    = V
    G
    =0V, V
    S
    =1.5V
    注意事项： 1，脉冲宽度有限的安全工作区。
    2.凝视TJ = 25 ： ，V
    DD
    = 50V ，L = 6.8mH ，R
    G
    =25 Ł , I
    AS
    =9A.
    3.脉冲宽度300US ，占空比2％。
    2/5

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