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GE04N70B 参数 Datasheet PDF下载

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型号: GE04N70B
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内容描述: N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 5 页 / 281 K
品牌: GTM [ GTM CORPORATION ]
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无铅电镀产品
颁发日期: 2005年1月4日
修订日期:
GE04N70B
N沟道增强型功率MOSFET
BV
DSS
R
DS ( ON)
I
D
650/700V
2.4
4A
该GE04N70B系列是专为通用90 〜265VAC主开关器件离线
交流/直流转换器的应用程序。 TO- 220型提供高阻断电压,以克服电压浪涌和下陷
在最艰难的动力系统与快速切换的最佳组合,坚固耐用的设计和
成本效益。
该TO- 220包装普遍首选的所有商业工业应用。该装置适合于
开关模式电源,DC - AC转换器和大电流高速开关电路。
*简单的驱动要求
*动态的dv / dt额定值
*额定重复性雪崩
*快速切换
描述
特点
包装尺寸
REF 。
A
b
c
D
E
L4
L5
毫米
分钟。
马克斯。
4.40
4.80
0.76
1.00
0.36
0.50
8.60
9.00
9.80
10.4
14.7
15.3
6.20
6.60
REF 。
c1
b1
L
e
L1
Ø
A1
毫米
分钟。
马克斯。
1.25
1.45
1.17
1.47
13.25
14.25
2.54 REF 。
2.60
2.89
3.71
3.96
2.60
2.80
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流, V
GS
@10V
连续漏电流, V
GS
@10V
漏电流脉冲
1,
总功耗
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
2
雪崩电流
重复性雪崩能量
工作结存储温度范围
符号
A / H股
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25 :
I
D
@T
C
=100 :
I
DM
P
D
@T
C
=25 :
E
AS
I
AR
E
AR
TJ , TSTG
评级
650/700
f 20
4
2.5
15
62.5
0.5
100
4
4
-55 ~ +150
单位
V
V
A
A
A
W
W/
mJ
A
mJ
热数据
参数
热阻结案件
热阻结到环境
马克斯。
马克斯。
符号
Rthj -C
Rthj -A
价值
2.0
62
单位
/W
/W
1/5